DMN26D0UFB4-7 Diodos Mosfet Modo de mejora Mosfet 20V N-Chan X2-DFN1006

DMN26D0UFB4-7 Diodos MOSFET Modo de mejora MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Fabricante: Diodos Incorporated
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Tipo de instalación: SMD/SMT
Envase/caja: X2-DFN1006-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1
VdS-fuente de descarga tensión de ruptura: 20 V
Id corriente de escape continua: 240 mA
Rds Resistencia de la fuente de descarga: 3 Ohms
Vgs - tensión de la fuente de la puerta: - 12 V, + 12 V
Vgs voltaje umbral de la fuente de la puerta: 600 mV
Carga de la puerta Qg:
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Disposición de energía Pd: 350 mW
Modo de canal: Mejoramiento
Serie: DMN26
Embalaje: carrete
Configuración: único
Tiempo de caída: 15,2 ms
Transconductividad hacia adelante - mínimo: 180 mS
Tiempo de elevación: 7,9 ns
Envasado: 3000 PCS
Tipo de transistor: 1 canal N
Tiempo típico de retraso de apagado: 13,4 ns
Tiempo típico de retraso: 3,8 ms
Unidad de peso: 1 mg

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