MOSFET dual 20V 6A del modo del aumento del canal N de FS8205A

MOSFET dual del Aumento-modo del canal N de FS8205A (20V, 6A)

1.Description

Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la puerta del proceso avanzado del foso. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder con una amplia gama de voltaje de la impulsión de la puerta (2.5V-10V)

2.Features

RDS (encendido) =38mΩ@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS (encendido) =25mΩ@VGS=4.5V, ID=6A
• Diseño de alta densidad de la célula para la En-resistencia ultrabaja
• Poder más elevado y capacidad que da actual
• Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha
• Ideal para los usos del paquete del batería li-ion

3.Applications

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Gestión del poder

circuito 4.SwitchingTest

Dimensión 5.TSSOP-8L

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