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Transistor de poder de HMC544AE RF Características: - Poder de alto rendimiento: dBm 28 típico - Alta ganancia: DB 14 típico - Figura de...
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Canal N 600 V, tipo del MOSFET del transistor de poder del Mosfet STO33N60M6 de 105 mOhm., característica de 26 A • Pérdidas que cambian reducidas • ......
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Transistores de poder DE GRAN INTENSIDAD DE ALTO VOLTAJE de la prueba del ARSENAL del TRANSISTOR de ULN2003APWR DARLICM GROUPON ¿? ►¿corriente d...
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Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G − MJ15023, MJ15025* DE PNP Transistores de po...
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MOSFET 40V 60V del canal N del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1 Poder-transistor OptiMOS-T2 Características • Nivel dual de la lóg...
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Transistor de potencia de MOSFET de superunión tipo N anti-EMI para SMPS Descripción del producto: Una de las características más destacadas de este......
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Transistor 500W, 50V, reemplazo de banda ancha del efecto de campo del poder de MRF151G RF del MOSFET del canal N 175MHz para BLF278 Características 1......
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Tipo epitaxial usos del silicio NPN del transistor de 2SC5171 TOSHIBA del amplificador de potencia CARACTERÍSTICAS • Alta frecuencia de l...
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Canal N 600V 10A (Tc) 38W (Tc) de los transistores de FDPF10N60NZ NPN PNP a través del agujero TO-220F MOSFET 600V, 10A, 0,75 del canal N Caracter......
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DIODOS BZT52C3V3LP-7Especificaciones técnicas del producto UE RoHS Obediente ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99 Situación de...
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