Transistor bipolar 38W Tc de Npn del canal de FDPF10N60NZN a través del agujero a 220F
Número de modelo:FDPF10N60NZ
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10 piezas
Condiciones de pago:T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente:10000PCS
Plazo de expedición:Archivo
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Proveedor Último login veces:
Dentro de 41 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Canal N 600V 10A (Tc) 38W (Tc) de los transistores de FDPF10N60NZ NPN PNP a través del agujero TO-220F
MOSFET 600V, 10A, 0,75 del canal N
Características
•RDS (encendido) = 0,64 (tipo.) @ VGS = 10V, identificación = 5A
• Carga baja de la puerta (tipo. 23nC)
• Crss bajo (tipo. 10pF)
• Transferencia rápida
• Avalancha 100% probada
• Capacidad mejorada de dv/dt
• Capacidad mejorada ESD
• RoHS obediente
Descripción
Este efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N
los transistores se producen usando el propietario de Fairchild,
planar
raya, tecnología de DMOS.
Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para
minimizar
la resistencia del en-estado, proporciona la
transferencia superior
funcionamiento, y pulso de la alta energía del withstand en la
avalancha
y modo de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados
para el alto
fuentes de alimentación cambiadas eficientes del modo y factor de
poder activo
corrección
UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Configuración | Solo |
| Tecnología de proceso | UniFET II |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 600 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±25 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 5 |
| Corriente continua máxima del dren (a) | 10 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 10000 |
| Máximo IDSS (UA) | 1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) | 750@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 23@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 23 |
| Capacitancia típica @ Vds (PF) de la entrada | 1110@25V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 38000 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 50 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 50 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 70 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 25 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Empaquetado | Tubo |
| Paquete del proveedor | TO-220FP |
| Nombre del paquete estándar | TO-220 |
| Cuenta de Pin | 3 |
| Montaje | A través del agujero |
| Altura del paquete | 15,87 |
| Longitud del paquete | 10,16 |
| Anchura del paquete | 4,7 |
| PWB cambiado | 3 |
| Etiqueta | Etiqueta |
| Forma de la ventaja | A través del agujero |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de
delicatessen
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Transistor bipolar 38W Tc de Npn del canal de FDPF10N60NZN a través del agujero a 220F
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