MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

Number modelo:IPG20N06S4L14AATMA1
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:meses 1000pcs/
Plazo de expedición:2-3 días laborables
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: 5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

MOSFET 40V 60V del canal N del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

 

Poder-transistor OptiMOS-T2

 

Características

• Nivel dual de la lógica del canal N - modo del aumento

• El AEC Q101 calificó

• MSL1 hasta flujo del pico 260°C

• temperatura de funcionamiento 175°C

• Producto verde (RoHS obediente)

• La avalancha 100% probó

• Posible para la inspección óptica automática (AOI)

 

MOSFET
RoHS:Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
Canal N
Canal 2
60 V
20 A
mOhms 13,7
- 16 V, + 16 V
1,7 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Aumento
AEC-Q101
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Configuración:Dual
Altura:1,27 milímetros
Longitud:5,9 milímetros
Tipo de producto:MOSFET
Cantidad del paquete de la fábrica:5000
Subcategoría:MOSFETs
Tipo del transistor:1 canal N
Anchura:5,15 milímetros
Parte # alias:IPG20N06S4L-14A SP001023846

 

 

 

China MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1 supplier

MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

Carro de la investigación 0