Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos

Número de modelo:2SC5171

Lugar del origen:Fábrica original

Cantidad de orden mínima:10pcs

Condiciones de pago:T/T, Union，PAYPAL occidental

Capacidad de la fuente:100000pcs

Plazo de expedición:1-3 días

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Tecnología ltd de la electrónica de Shenzhen ATFU

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Shenzhen Guangdong China

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Tipo epitaxial usos del silicio NPN del transistor de 2SC5171 TOSHIBA del amplificador de potencia

CARACTERÍSTICAS

• Alta frecuencia de la transición: pie = 200 megaciclos (tipo.)

• Complementario a 2SA1930

Características eléctricas (Tc = 25°C)

Características	Símbolo	Condición de prueba	Minuto	Tipo.	Máximo	Unidad
Corriente de atajo de colector	ICBO	VCB = 180 V, IE = 0	-	-	5,0	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	VEB = 5 V, IC = 0	-	-	5,0	μA
voltaje de avería del Colector-emisor	CEO DE V (BR)	IC = 10 mA, IB = 0	180	-	-	V
Aumento actual de DC	hFE (1)	VCE = 5 V, IC = 0,1 A	100	-	320
Aumento actual de DC	hFE (2)	VCE = 5 V, IC = 1 A	50	-	-
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (se sentó)	IC = 1 A, IB = 0,1 A	-	0,16	1,0	V
Voltaje del emisor de base	VBE	VCE = 5 V, IC = 1 A	-	0,68	1,5	V
Frecuencia de la transición	pie	VCE = 5 V, IC = 0,3 A	-	200	-	Megaciclo
Capacitancia de salida del colector	Mazorca	VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 megaciclo	-	16	-	PF

Grados máximos absolutos (Tc = 25°C)

Características		Símbolo	Grado	Unidad
voltaje de la Colector-base		VCBO	180	V
voltaje del Colector-emisor		VCEO	180	V
voltaje de la Emisor-base		VEBO	5	V
Corriente de colector		IC	2
Corriente baja		IB	1
Disipación de poder del colector	TA = 25°C	PC	2,0	W
Disipación de poder del colector	Tc = 25°C	PC	20	W
Temperatura de empalme		Tj	150	°C
Gama de temperaturas de almacenamiento		Tstg	−55a150	°C