Transistor de poder de HMC544AE RF
Características:
- Poder de alto rendimiento: dBm 28 típico
- Alta ganancia: DB 14 típico
- Figura de poco ruido: DB 2 típico
- Linearidades excelentes
- Ancho de banda amplio: 600 megaciclos
- RoHS obediente
Paquete: Soporte superficial, 4-Lead SOT-363
Usos:
- Celular y PCS
- Estaciones base 2.5G/3G/4G
- WLAN/WiMAX
- Equipo de prueba
- Comunicaciones de banda ancha
- Usos de High Dynamic Range
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