Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G

Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G

− MJ15023, MJ15025* DE PNP

Transistores de poder del silicio

  Los MJ15023 y los MJ15025 son transistores de poder de PowerBase diseñados para el audio del poder más elevado, los posicionadores principales del disco y otros usos lineares.

Características

• Alta área de funcionamiento seguro (el 100% probado) −2 A @ 80 V

• Alto hFE del − del aumento actual de DC = 15 (minuto) @ IC = 8 ADC

• Los paquetes de Pb−Free son Available*

MJ1502x = código de dispositivo

x = 3 o 5

G = paquete de Pb−Free

A = ubicación de la asamblea

Y = año

WW = semana del trabajo

MEX = país de origen

            INFORMACIÓN EL ORDENAR

   Hay dos limitaciones en la capacidad powerhandling de un transistor: temperatura de empalme media y segunda avería. Las curvas del área de funcionamiento seguro indican los límites del − VCE de IC del transistor que se debe observar para la operación confiable; es decir, el transistor no se debe sujetar a la mayor disipación que las curvas indican.

  Los datos del cuadro 1 se basan en TJ (PK) = 200C; El TC es variable dependiendo de condiciones. En las altas temperaturas de caso, las limitaciones termales reducirán el poder que se puede manejar a los valores menos que las limitaciones impuestas por la segunda avería.

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

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