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Walton Electronics Co., Ltd.

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MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

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Walton Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1 wholesale
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MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1
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Number modelo :IPG20N06S4L14AATMA1
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :meses 1000pcs/
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :Estándar
Categoría de producto :MOSFET
Montaje de estilo :SMD/SMT
Paquete/caso :TDSON-8
Polaridad del transistor :Canal N
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :60V
nombre de producto :IPG20N06S4L14AATMA1
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MOSFET 40V 60V del canal N del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

 

Poder-transistor OptiMOS-T2

 

Características

• Nivel dual de la lógica del canal N - modo del aumento

• El AEC Q101 calificó

• MSL1 hasta flujo del pico 260°C

• temperatura de funcionamiento 175°C

• Producto verde (RoHS obediente)

• La avalancha 100% probó

• Posible para la inspección óptica automática (AOI)

MOSFET 40V 60V del canal N del chip CI del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1

 

MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
Canal N
Canal 2
60 V
20 A
mOhms 13,7
- 16 V, + 16 V
1,7 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Aumento
AEC-Q101
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Configuración: Dual
Altura: 1,27 milímetros
Longitud: 5,9 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Cantidad del paquete de la fábrica: 5000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Anchura: 5,15 milímetros
Parte # alias: IPG20N06S4L-14A SP001023846

 

 

 

Etiquetas de productos:

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