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Tecnología ltd de la electrónica de Shenzhen ATFU

Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD

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Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos

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Tecnología ltd de la electrónica de Shenzhen ATFU
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Provincia / Estado:guangdong
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China Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos wholesale
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Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos
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Número de modelo :2SC5171
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Union，PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente :100000pcs
Plazo de expedición :1-3 días
Detalles de empaquetado :Caja
Tipo :Los amplificadores saltan IC
Uso :Usos del amplificador de potencia
Paquete :3 pernos SUMERGEN
Característica :Alta frecuencia de la transición
Ancho de banda amplio :200 megaciclos
Serie :Complementario a 2SA1930
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Tipo epitaxial usos del silicio NPN del transistor de 2SC5171 TOSHIBA del amplificador de potencia

 

 

CARACTERÍSTICAS

 


• Alta frecuencia de la transición: pie = 200 megaciclos (tipo.)

• Complementario a 2SA1930

 

 

Características eléctricas (Tc = 25°C)

Características

Símbolo

Condición de prueba

Minuto

Tipo.

Máximo

Unidad

Corriente de atajo de colector

ICBO

VCB = 180 V, IE = 0

-

-

5,0

μA

Corriente del atajo del emisor

IEBO

VEB = 5 V, IC = 0

-

-

5,0

μA

voltaje de avería del Colector-emisor

CEO DE V (BR)

IC = 10 mA, IB = 0

180

-

-

V

Aumento actual de DC

hFE (1)

VCE = 5 V, IC = 0,1 A

100

-

320

  

hFE (2)

VCE = 5 V, IC = 1 A

50

-

-

voltaje de saturación del Colector-emisor

VCE (se sentó)

IC = 1 A, IB = 0,1 A

-

0,16

1,0

V

Voltaje del emisor de base

VBE

VCE = 5 V, IC = 1 A

-

0,68

1,5

V

Frecuencia de la transición

pie

VCE = 5 V, IC = 0,3 A

-

200

-

Megaciclo

Capacitancia de salida del colector

Mazorca

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 megaciclo

-

16

-

PF

 

Grados máximos absolutos (Tc = 25°C)

Características

Símbolo

Grado

Unidad

voltaje de la Colector-base

VCBO

180

V

voltaje del Colector-emisor

VCEO

180

V

voltaje de la Emisor-base

VEBO

5

V

Corriente de colector

IC

2

Corriente baja

IB

1

Disipación de poder del colector

TA = 25°C

PC

2,0

W

Tc = 25°C

20

Temperatura de empalme

Tj

150

°C

Gama de temperaturas de almacenamiento

Tstg

−55a150

°C

 

Usos


• Usos del amplificador de potencia

• Conductor Stage Amplifier Applications

2SC5171 .pdf

Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos

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