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Transistor bipolar 38W Tc de Npn del canal de FDPF10N60NZN a través del agujero a 220F

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Transistor bipolar 38W Tc de Npn del canal de FDPF10N60NZN a través del agujero a 220F

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Número de modelo :FDPF10N60NZ
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :10 piezas
Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente :10000PCS
Plazo de expedición :Archivo
Detalles de empaquetado :Tubo
Categoría :MOSFET DEL PODER
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) :600v
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) :±25V
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) :5V
Corriente continua máxima del dren (a) :10A
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) :10000NA
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) :750@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta :23@10V
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Canal N 600V 10A (Tc) 38W (Tc) de los transistores de FDPF10N60NZ NPN PNP a través del agujero TO-220F

 

MOSFET 600V, 10A, 0,75 del canal N
Características
 
•RDS (encendido) = 0,64  (tipo.) @ VGS = 10V, identificación = 5A
• Carga baja de la puerta (tipo. 23nC)
• Crss bajo (tipo. 10pF)
• Transferencia rápida
• Avalancha 100% probada
• Capacidad mejorada de dv/dt
• Capacidad mejorada ESD
• RoHS obediente
 

 

Descripción
 
Este efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N
los transistores se producen usando el propietario de Fairchild, planar
raya, tecnología de DMOS.
Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para minimizar
la resistencia del en-estado, proporciona la transferencia superior
funcionamiento, y pulso de la alta energía del withstand en la avalancha
y modo de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados para el alto
fuentes de alimentación cambiadas eficientes del modo y factor de poder activo
corrección

 

UE RoHS
Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Categoría de producto MOSFET del poder
Configuración Solo
Tecnología de proceso UniFET II
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 600
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±25
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 5
Corriente continua máxima del dren (a) 10
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 10000
Máximo IDSS (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) 750@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 23@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 23
Capacitancia típica @ Vds (PF) de la entrada 1110@25V
Disipación de poder máxima (mW) 38000
Tiempo de caída típico (ns) 50
Tiempo de subida típico (ns) 50
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 70
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 25
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Tubo
Paquete del proveedor TO-220FP
Nombre del paquete estándar TO-220
Cuenta de Pin 3
Montaje A través del agujero
Altura del paquete 15,87
Longitud del paquete 10,16
Anchura del paquete 4,7
PWB cambiado 3
Etiqueta Etiqueta
Forma de la ventaja A través del agujero

 

 

 

Transistor bipolar 38W Tc de Npn del canal de FDPF10N60NZN a través del agujero a 220F

 

 

Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-0755-82539981

 

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