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MOSFET de bajo voltaje de resistencia de ON N de canal duradero con 100% de pruebas de avalancha Descripción del producto: Nuestro MOSFET de alto vo...
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Canal N 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) de IPP65R110CFDA a través del agujero PG-TO220-3 Características: IPP65R110CFDA Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr ......
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Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P...
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‐40V/‐70A P Modo de mejora del canal MOSFET de potencia JY4P7M para carga de alta corriente Descripción general El JY4P7M utiliza las últimas técn......
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Puente automotriz del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel de IGBT medio Descripción de producto de FF2MR12KM1HOSA...
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