Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad que se utiliza para la transmisión de datos.
Número de modelo:Se aplicará el procedimiento siguiente:
Lugar de origen:CHN
Cantidad mínima de pedido:1 PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de suministro:3000 piezas
Tiempo de entrega:1 día
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sala 1205-1207, edificio Nanguang, calle Huafu, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Se trata de un sistema de transmisión de energía que se utiliza para la transmisión de energía a través de un sistema de transmisión de energía. N P Canal Mosfet
| STMicroelectrónica | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| La norma RoHS: | Detalles |
| Sí, sí. | |
| DSM/SMT | |
| PowerFLAT-5x6-8 y el otro | |
| N-canal | |
| 1 Canal | |
| 30 V | |
| 150 A | |
| 1.75 mOhms | |
| - 22 V, + 22 V | |
| - 55 C | |
| + 150 °C | |
| 80 W | |
| Mejoramiento | |
| Las demás especies | |
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | |
| El rollo | |
| Cortar la cinta | |
| MouseReel es un juego de cartas. | |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Configuración: | No casado |
| Tiempo de caída: | 47.8 ns |
| Alturas: | 0.81 mm |
| Duración: | 5 mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de ascenso: | 30.8 ns |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retraso típico de apagado: | 65.8 ns |
| Tiempo típico de retraso de encendido: | 17.2 ns |
| Ancho: | 6 mm |
| Peso unitario: | 0.002681 onzas |
Descripción
Esta tecnología STripFETTMV Power MOSFET se encuentra entre las
últimas mejoras, que han sido
especialmente diseñados para lograr una resistencia muy baja en
estado activo, proporcionando también uno de los mejores FOM de su
clase.
Este producto utiliza la 5a generación de reglas de diseño de la
tecnología patentada STripFET TM de ST.
El RDS más bajo disponible en este paquete de escala de chips hace que este dispositivo sea adecuado para la mayoría de los
aplicaciones exigentes de convertidores CC-CC, donde
Se debe lograr una alta densidad de potencia.
El RDS más bajo disponible en este paquete de escala de chips hace que este dispositivo sea adecuado para la mayoría de los
aplicaciones exigentes de convertidores CC-CC, donde
Se debe lograr una alta densidad de potencia.
Características
■ RDS ((en) * Qg índice de referencia del sector
■ RDS de resistencia de encendido extremadamente baja (encendido)
■ Alta robustez en las avalanchas
■ Bajas pérdidas de potencia del accionamiento de puertas
Aplicación
■ Cambio de aplicaciones
El STL150N3LLH5 es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado por STMicroelectronics.
Es parte de la serie STripFETTM V y está diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y baja pérdida de rendimiento.
Este MOSFET tiene un voltaje máximo de drenaje a la fuente de 30V y una corriente de drenaje continua de 35ALas demás:.
Las especificaciones principales del STL150N3LLH5:
- Tipo: MOSFET de potencia de canal N
- Vgs (tensión de puerta a fuente): ±22V
- ID (corriente de drenaje continua): 35A
- Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 1,75mΩ @ 17,5A, 10V
- Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos.
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
- Disposición máxima de energía: 114 W Tc
- La carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 40nC @ 4,5V
- Tiempo de retraso de encendido: 17,2 s
- Tiempo de retraso de apagado: 65.8 ns
- Tiempo de ascenso: 30.8s
- Tiempo de caída (tipo): 47,8 segundos
- Nivel de energía de avalancha (Eas): 300 mJ
- Dimensiones: 5 mm x 6 mm x 950 μmLas demás:
Aplicaciones:
- Fuentes de alimentación y fuentes de alimentación de conmutación
- Control del motor
- Los amplificadores
- Industria de la automatización para la conmutación de corrientes de sobretensiones
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad que se utiliza para la transmisión de datos.
Carro de la investigación
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