‐40V/‐70A P Modo de mejora del canal MOSFET de potencia JY4P7M para carga de alta corriente

Número de modelo:JY4P7M
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:10SET
Condiciones de pago:El pago de las cuotas se efectuará en el momento en que el importe de las cuotas sea superior al imp
Capacidad de suministro:1000sets/day
Tiempo de entrega:5 a 8 días hábiles
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‐40V/‐70A P Modo de mejora del canal MOSFET de potencia JY4P7M para carga de alta corriente

 

 

Descripción general
El JY4P7M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en alta corriente
aplicaciones de carga.
 
Características
● ‐40V/‐70A, RDS ((ON) ≤10mΩ@VGS=‐10V
● Diseño de celdas de alta densidad para Rdson ultra bajo
● Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
● Excelente paquete para una buena disipación de calor
 
Las aplicaciones
● Interruptor de carga en aplicaciones de alta corriente
● Gestión de la energía para sistemas de inversores
 
Descripción del código PIN
 
 
Calificaciones máximas absolutas ((Tc=25oC, a menos que se indique lo contrario)
 
Características eléctricas ((Ta=25oC a menos que se indique lo contrario)
 
 
 
 
Descargar el manual de usuario de JY4P7M
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‐40V/‐70A P Modo de mejora del canal MOSFET de potencia JY4P7M para carga de alta corriente

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