Triodo de gran intensidad del canal N del transistor del MOSFET de IRFB4227PBF 200V 65A
Number modelo:IRFB4227PBF
Lugar del origen:IR
Cantidad de orden mínima:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:3000
Detalles de empaquetado:Los cartones
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REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU
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Triodo de gran intensidad del canal N del transistor del MOSFET de IRFB4227PBF 200V 65A
Triodo de gran intensidad del MOSFET del canal N 200V/65A del Directo-enchufe to-220 de IRFB4227PBF
| Infineon | ||
| MOSFET | ||
| RoHS: | Detalles | |
| Si | ||
| A través del agujero | ||
| TO-220-3 | ||
| Canal N | ||
| 1 canal | ||
| 200 V | ||
| 65 A | ||
| 24 mOhms | ||
| - 30 V, + 30 V | ||
| 1,8 V | ||
| 70 nC | ||
| - 40 C | ||
| + 175 C | ||
| 330 W | ||
| Aumento | ||
| Tubo | ||
| Marca: | Infineon/IR | |
| Configuración: | Solo | |
| Tiempo de caída: | 31 ns | |
| Transconductancia delantera - minuto: | 49 S | |
| Altura: | 15,65 milímetros | |
| Longitud: | 10 milímetros | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Tiempo de subida: | 20 ns | |
| 1000 | ||
| Subcategoría: | MOSFETs | |
| Tipo del transistor: | 1 canal N | |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 21 ns | |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 33 ns | |
| Anchura: | 4,4 milímetros | |
| Parte # alias: | IRFB4227PBF SP001565892 | |
| Peso de unidad: | 0,068784 onzas |
Triodo de gran intensidad del canal N del transistor del MOSFET de IRFB4227PBF 200V 65A
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