ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Mingjiada
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Puente automotriz del arsenal 1200V del Mosfet de los módulos FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel de IGBT medio
Descripción de producto de FF2MR12KM1HOSA1
FF2MR12KM1HOSA1 es módulo de la serie C de 62m m con MOSFET del foso de CoolSiC™, arsenal del Mosfet 1200V, módulo de 2 canales N (medio puente).
Especificación de FF2MR12KM1HOSA1
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Número de parte
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FF2MR12KM1HOSA1
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Serie
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CoolSiC™
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Configuración
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Canal N 2 (medio puente)
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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1200V (1.2kV)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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500A (Tc)
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Características de los módulos automotrices de IGBT
Otros componentes electrónicos en existencia
| Número de parte | Paquete |
| AS3430-EQFP | QFN |
| EP1C20F324I7N | BGA |
| TPS82698SIPR | USIP8 |
| BCM20795P1KML1G | QFN |
| BCM4354XKUBG | BGA |
| BCM47521IUB2G | BGA |
FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden