Mosfet en Power Electronics IRLMS1503TRPBF MOSFET de canal N de alta tensión de alta tensión
Number modelo:IRLMS1503TRPBF
Lugar del origen:Multi-origen
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IRLMS1503TRPBF MOSFET Electrónica de potencia
El IRLMS1503TRPBF es un dispositivo MOSFET Power Electronics de Infineon Technologies.Es un MOSFET de modo de mejora de canal N que es adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones, incluida la conmutación de lado bajo, la conmutación de propósito general y la conmutación de potencia.
Características:
- Modo de mejora de canal N MOSFET
- Baja resistencia
- Carga de puerta baja
- Baja capacitancia de entrada/salida
- Bajo voltaje de umbral
- Capacidad de alta corriente
- Sin plomo y compatible con RoHS
- Libre de Pb (Cumple con RoHS)
Tipo de paquete: TO-252 (DPAK)
VDS: 30V
identificación: 15A
RDS (ENCENDIDO): 0.045Ω @ VGS = 10V
Qg: 8nC
VGS(th): 2V
Ciss: 480pF
Costo: 290pF
estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | ||
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 9,6 nC a 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 210 pF a 25 V | |
Función FET | - | |
Disipación de energía (máx.) | 1,7 W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete de dispositivo del proveedor | Micro6™(TSOP-6) | |
Paquete / Caja | ||
Número de producto base |
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