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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Transistor de poder del Mosfet

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Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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China Tipo dual alto rendimiento del interruptor de gran intensidad N del Mosfet HXY4812  for sale

Tipo dual alto rendimiento del interruptor de gran intensidad N del Mosfet HXY4812 

La descripción general del MOSFET del canal N dual de HXY4812 0V El HXY4812 utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente .....
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China Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V for sale

Dren continuo 6.5A actual del canal N dual del transistor de poder del Mosfet de HXY4812 30V

La descripción general del MOSFET del canal N dual de HXY4812 30V El HXY4822A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente ...
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China Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS for sale

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

La descripción general del MOSFET del canal N dual de HXY9926A 20V El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente ...
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China MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS for sale

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulan la descripción general VDSS= V ID= 6,0 A z 20 G1 6 D1, < del MOSFET del canal N dual de los MOSFETS de D2 5 G2 4 z ...
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China Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V for sale

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la DESCRIPCIÓN del MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel el 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso para proporcionar el RDS excelente ...
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China Sistema de alimentación ininterrumpida dual del interruptor 20V del Mosfet del canal N 12H02TS for sale

Sistema de alimentación ininterrumpida dual del interruptor 20V del Mosfet del canal N 12H02TS

La descripción del MOSFET del modo del aumento de 12H02TS 20V N+N-Channel El 12H02TS utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS ......
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China 8205 el plástico del transistor de poder del Mosfet TSSOP-8 encapsula para la gestión del poder for sale

8205 el plástico del transistor de poder del Mosfet TSSOP-8 encapsula para la gestión del poder

8205S TSSOP-8 Plástico-encapsulan el < de la descripción general VDSS= V ID= 6,0 A 20 z RDS de los MOSFETS (encendido); < de Ω@VGS = de 4.5V 25 MZ 20z ...
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China Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor for sale

Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor

La descripción del MOSFET del modo del aumento de 5G03SIDF 30V N+P-Channel El 5G03S/DF utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS ....
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China Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V for sale

Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V

La descripción del MOSFET del modo del aumento de 6G03S 30V N+P-Channel El 6G03S utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS ...
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China 10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet for sale

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

La descripción del MOSFET del modo del aumento de 10G03S 30V N+P-Channel El 10G03S utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS ...
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