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MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :8205A
Product name :Mosfet Power Transistor
VDSS :6.0 A
APPLICATION :Power Management
FEATURE :Low Gate Charge
Power mosfet transistor :SOT-23-6L Plastic-Encapsulate
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8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulan el MOSFET dual del canal N de los MOSFETS

 

 

Descripción general

 

 

VDSS= V ID= 6,0 A

z 20

G1

6

D1, D2

5

G2

4

  z  

RDS (encendido) < Ω@V = 4.5V

los 25m

GS

  z  

RDS (encendido) < Ω@V = 2.5V

los 32m

GS

1 2 3

S1

D1, D2 S2

 

 

 

 

CARACTERÍSTICA

 

MOSFET del poder de z TrenchFET

z R excelenteDS(encendido)

carga baja de la puerta de z

poder más elevado de z y capacidad que da actual

paquete del soporte de la superficie de z

 

 

USO

 

protección de la batería de z

interruptor de la carga de z

gestión del poder de z

 

 

Tipo mínimo unidad máxima de la condición de prueba del símbolo del parámetro
CHARACTERICTISCS ESTÁTICO
voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS VGS = 0V, identificación =250µA 19 V
Dren cero IDSS actual VDS =18V, del voltaje de la puerta µA VGS = 0V 1
salida IGSS actual VGS =±10V, nA del Puerta-cuerpo de VDS = de 0V ±100
Bloquee el voltaje del umbral (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificación =250µA 0,5 0.9V
Remita el tranconductance (gFS VDS =5V, identificación =4.5A 10 S de la nota 3)
Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V

 

 

CHARACTERICTISCS DINÁMICO (note4)
CISS de la capacitancia de la entrada 800 PF
Capacitancia de salida Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF
Capacitancia reversa Crss 125 PF de la transferencia

 

 

TRANSFERENCIA CHARACTERICTISCS (nota 4)
Tiempo de retraso de abertura TD (encendido) 18 ns
Tiempo de subida de abertura tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado TD (apagado) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns
Tiempo de caída de la vuelta-apagado tf 20 ns
Carga total Qg 11 nC de la puerta
Carga Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC de la Puerta-fuente
Carga Qgd 2,5 nC del Puerta-dren

 

 

Notas:

1. Grado repetidor: Anchura de Pluse limitada por temperatura de empalme máxima

2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec t≤10.

3. Prueba del pulso: Pulso width≤300μs, deber el cycle≤2%.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción.

 

 

 

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSSMOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

 

 

Dimensiones del esquema del paquete de SOT-23-6L

 

 

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

MOSFETS duales del transistor de poder del Mosfet del canal N 8205A SOT-23-6L 6,0 Un VDSS

 

 

 

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