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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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China Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor wholesale
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Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :5G03SIDF
Product name :Mosfet Power Transistor
VDS :30V
APPLICATION :High Frequency Circuits
FEATURE :Low Gate Charge
VGS :+-12V
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MOSFET del modo del aumento de 5G03SIDF 30V N+P-Channel

 

 

Descripción

 

El foso avanzado de las aplicaciones 5G03S/DF

tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a

el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro

usos

 

 

Características generales

Canal N

VDS = 30V, ID =8A

RDS(ENCENDIDO) los < 20m Ω@ VGS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -6.2A

RDS(ENCENDIDO) < -50MΩ@ VGS=-10V

 

Uso

Uso de la transferencia del poder

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia

Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Marca del paquete e información el ordenar

 
 
Carga baja de la puerta del Mosfet de 5G03SIDF 30V del soporte superficial dual del interruptor
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Nota:

1, grado repetidor: Anchura pulsada limitada por temperatura de empalme máxima.

2, VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=17A., RG=25, comenzando TJ=25℃.

3, los datos probados por pulsado, ≦ 300us, ≦ el 2%. 4, esencialmente independientede la anchura de pulso del ciclo de trabajo de la temperatura de funcionamiento.

 
 
 
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