Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

[236]

Transistores de poder de la extremidad

[60]

Transistor de poder del silicio

[38]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

[12]

Puente rectificador de Schottky

[20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

[30]

Estabilizador IC del voltaje

[28]

Contacta

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

Ver detalles de contacto

Contacta

Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

Name: Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

Preguntar último precio

Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :8H02ETS

Product name :Mosfet Power Transistor

VDSS :6.0 A

APPLICATION :Power Management

FEATURE :Low Gate Charge

Power mosfet transistor :SOT-23-6L Plastic-Encapsulate

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel

DESCRIPCIÓN

La tecnología avanzada del foso 8H02ETSuses a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y

operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.

CARACTERÍSTICAS GENERALES

VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A

8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28mΩ @ VGS=2.5V

RDS (ENCENDIDO) < 26mΩ @ VGS=3.1V

RDS (ENCENDIDO) < 22mΩ @ VGS=4V

RDS (ENCENDIDO) < 20mΩ @ VGS=4.5V

Grado del ESD: 2000V HBM

Uso

Protección de la batería

Gestión del poder del interruptor de la carga

Marca del paquete e información el ordenar

Identificación del producto	Paquete	Marcado	Qty (PCS)
8H02ETS	TSSOP-8	8H02ETS WW YYYY	5000/3000

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Límite	Unidad
Voltaje de la Dren-fuente	VDS	20	V
Voltaje de la Puerta-fuente	VGS	±12	V
Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1)	Identificación	7	V
Disipación de poder máxima	Paladio	1,5	W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento	TJ, TSTG	-55 a 150	℃
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2)	RθJA	83	℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

NOTAS: 1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima. 2. superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t. 3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

Etiquetas de productos:

Carro de la investigación 0