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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

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Mos Field Effect Transistor

material del silicio de AlphaSGT HXY4264 del canal N de 60V Mos Field Effect Transistor

&lt sumario de la identificación del producto VDS 60V de AlphaSGT HXY4264 del canal N 60V (en VGS=10V) 13.5A RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V); &lt de 9.8m...

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Impulsión de la puerta del nivel de la lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

&lt sumario de la identificación del producto VDS 60V de AlphaSGT HXY4266 del canal N 60V (en VGS=10V) 11A RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V); &lt de 13.5mΩ ...

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Carga de la puerta de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low para el uso que cambia

&lt sumario de la identificación del producto VDS 30V de AlphaSGT HXY4264 del canal N 60V (en VGS=10V) 8.5A RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V); &lt de 24mΩ ...

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Identificación 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (ENCENDIDO) < 11.5mΩ

&lt sumario de la identificación del producto VDS 30V de AlphaSGT HXY4264 del canal N 60V (en VGS=10V) 13A RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V); &lt de 11.5mΩ ...

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Tipo transferencia de HXY4410 N de la carga del transistor para los usos portátiles

producto VDS sumario (v) = 30V I de AlphaSGT HXY4264 del canal N 60V = &lt de 18A D RDS (ENCENDIDO); &lt del RDS del Ω del 11m (VGS = 10V) (ENCENDIDO)...

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Canal N VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor de poco ruido

producto VDS sumario 30V I de AlphaSGT HXY4264 del canal N 60V = 10A &lt de VGS = de 10V) RDS (ENCENDIDO); &lt de 23mΩ (VGS = 10V) RDS (ENCENDIDO); .....

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Transistor de poder del Mosfet HXY2300, transferencia rápida del transistor de efecto de campo

SOT-23 Plástico-encapsulan el &lt sumario del mΩ@ 4.5V 5,0 A del producto VDSS= RDS (encendido) V ID= 32 de los MOSFETS HXY2300; VGS = &lt de z RDS .....

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MOSFET del canal N 20-V (D-S) de HXY2302Z Mos Field Effect Transistor

SOT-23 Plástico-encapsulan el &lt sumario del RDS del producto del MOSFET del canal N 20-V (D-S) de los MOSFETS HXY2302Z (encendido); &lt de 60mΩ@VGS....

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transistor de poder del Mosfet 11A, transferencia de alta frecuencia del transistor de poder más elevado

&lt sumario del producto VDSS= V ID= 3,6 A 30 z RDS de AlphaSGT HXY4266 del canal N 60V (encendido); mΩ@VGS = 10 &lt de V 65 z RDS (encendido); los .....

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Plástico de Mos Field Effect Transistor SOT-23 del canal N HXY2308 encapsulado

SOT-23 Plástico-encapsulan el &lt sumario del producto VDSS= V ID= 3,0 A 60 RDS (en) 120mΩ@ 10 V del MOSFET del canal N de los MOSFETS HXY2308; &lt de ...

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