8205S TSSOP-8 Plástico-encapsulan los MOSFETS
Descripción general
VDSS= V ID= 6,0 A 20 z RDS (encendido) < Ω@VGS = 4.5V 25 MZ 20z RDS (encendido) < Ω@VGS = 2.5V 32 m 2532m m
CARACTERÍSTICA
MOSFET del poder de z TrenchFET
z RDS excelente (encendido)
carga baja de la puerta de z
poder más elevado de z y capacidad que da actual
paquete del soporte de la superficie de z
USO
protección de la batería de z
interruptor de la carga de z
gestión del poder de z
GRADOS MÁXIMOS (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de Pluse limitada por temperatura de empalme máxima
2.Surface montado en FR4 el tablero, sec t≤10.
3. Pulso Ttest: Pulso width≤300μs, deber el cycle≤2%.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción.
T =25 un ℃ salvo especificación de lo contrario