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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

 [236]

Transistores de poder de la extremidad

 [60]

Transistor de poder del silicio

 [38]

Diodo que cambia dual

 [30]

Mos Field Effect Transistor

 [58]

Mosfet en doble canal

 [20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener del poder

 [12]

Puente rectificador de Schottky

 [20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

 [30]

Triodo del semiconductor

 [18]

Estabilizador IC del voltaje

 [28]
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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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China Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS wholesale
  • China Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS wholesale

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY9926A
Product name :Mosfet Power Transistor
VDS :20v
Case :Tape/Tray/Reel
VGS :±1.2v
Continuous Drain Current :6.5A
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HXY4822 20V se doblan MOSFET del canal N

 

 

Descripción general

 

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de HXY9926A a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas

con los voltajes de la puerta tan bajos como 1.8V mientras que conserva un 12V

Grado de VGS (max). Este dispositivo es conveniente para el uso como unidireccional

o interruptor bidireccional de la carga.

 

 

Resumen del producto

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

 

Grados máximos absolutos T =25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando los pulsos de <300µs, máximo del ciclo de trabajo 0,5%.

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

 

Interruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGSInterruptor del Mosfet de la lógica de HXY9926A, canal N dual del interruptor del Mosfet ±1.2v VGS

 

 

 

 

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