Name: Identificación 65A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :6G03S

Product name :Mosfet Power Transistor

RDS(ON) :< 37mΩ

ID :6.5A

FEATURE :Low Gate Charge

VGS :-10V

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MOSFET del modo del aumento de 6G03S 30V N+P-Channel

Descripción

El foso avanzado de las aplicaciones 6G03S

tecnología para proporcionar R excelente_{DS(ENCENDIDO)} y carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a

el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro

usos

Características generales

P-canal del canal N

Canal N

V_DS = 30V, I_D =6.5A

R_{DS(ENCENDIDO)} < 16mΩ@ V_GS=10V

P-canal

V_DS = -30V, I_D = -7A

R_{DS(ENCENDIDO)} < 37mΩ @ V_GS=-10V

Poder más elevado y capacidad que da actual

Se adquiere el producto sin plomo

Paquete superficial del soporte

Uso

Uso de la transferencia del poder del ●

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●

Sistema de alimentación ininterrumpida del ●

Marca del paquete e información el ordenar

Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Notas:

1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.

3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción

características eléctricas del canal de 30V N+P-Channel EnhancemeN- y termales típicas (curvas)

Etiquetas de productos:

Carro de la investigación 0