transistores de poder del mosfet

Transistor de poder del Mosfet de la INMERSIÓN del P-canal 100V 40A 200W TO-220 de IRF5210PBF Descripción La quinta generación HEXFETs del re...

Los transistores de poder importados para las especificaciones directas de la motocicleta 18 de los mosfets 35A de la fábrica eléctrica del regulador ......

MOSFET 40V 60V del canal N del transistor de poder IPG20N06S4L14AATMA1 Poder-transistor OptiMOS-T2 Características • Nivel dual de la lóg...

INNOTION YP01401650T 50W Nitruro de galio 28V DC-4GHz Transistor de potencia de alta movilidad de electrones GAN RF Descripción del producto Innot...

El equipo de ensayo de las máquinas de la Unión Europea (UE) no está autorizado a utilizar las tecnologías de la Unión Europea (UE). El fabricant...

...

51199930-100 51199930100 dispositivos del transistor de poder de Honeywell El ⇒ hace clic aquí para el buen precio 51199930-100...

Transistor Texas Instruments /TI BQ26100DRPR de NPN PNP Módulo de ECAD Construya o pida la huella o el símbolo del PWB...

Características: Es conveniente para la formación de los transistores de poder tubo-embalados, de los audiones, y de...

Descripción de productoMOSFET del FET del transistor 180A 200W HEXFET del canal N de IRF1404ZPBF Canal N 180A 200W de los transistores de IRF1404ZPBF...

SOT-323 3904W /3906W NPN y PNP Silicio Características - Estos transistores están diseñados para amplificadores de uso general. en el SOT323/SC70,...

Precio del FET del transistor común del MOSFET IPL60R225CFD7AUMA1 buen Descripción de producto IPL60R225CFD7AUMA1 ofrece coste-habe...

SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS BSS138 MOSFET del canal N 50-V (D-S)...

MOSFET discreto de los semiconductores IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 Descripción de producto: MOSFETOptiMOSTM5Power-Transistor, 100V Características: ......

Los usos del MOSFET 4A 650V del PODER de F4N65L TO-220F-3L en las fuentes de alimentación y los adaptadores que cambian 4A, 650V CANAL N TO-220F-3L ......

Triodo del MOSFET del canal N del silicio de los transistores del MOSFET del FB 999 E6327 RF triodo del MOSFET del canal N 1.Silicon Para las etapa...

Transistores - soporte superficial 8-SOIC del canal N del arsenal 2 del Mosfet del chip CI AO4884 de los FETs 40V (dual) 10A 2W DESCRIPCIÓN DE PR...

Descripción de producto El tipo cortadora del inversor de la serie de LGK del plasma del aire, es un nuevo diseño de equipo de p...