Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

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Transistor de poder sin plomo del Mosfet IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrAllen Wang
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Transistor de poder sin plomo del Mosfet IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

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Number modelo :IRFP90N20DPBF
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :12000pcs por boca
Plazo de expedición :días 2-3work
Detalles de empaquetado :400PCS/REEL
Tipo :MOSFET
Descripción :MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
Paquete :TO-247-3
Empaquetado :Tubo y caja
Garantía :90 días después de enviar
Envío cerca :DHL \ UPS \ Fedex \ poste \ TNT del ccsme \ de HK
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Transistor del MOSFET del transistor de poder del Mosfet IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Usos

• Convertidores de alta frecuencia de DC-DC

• Sin plomo

Descripción

                                                                                                         

La familia del MOSFET del IR de MOSFETs del poder utiliza los procesos probados del silicio que ofrecen a diseñadores una cartera ancha de

dispositivos para apoyar diversos usos tales como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de la carga así como batería

usos accionados. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes superficiales del soporte y del por-agujero con industria

huellas estándar para la facilidad del diseño.

Transistor de poder sin plomo del Mosfet IRFP90N20DPBF 200V 94A 23mOhm 180nCAC

Características

                                                                                                              

• Carga baja del Puerta-a-dren a reducir el cambiar de pérdidas

• Capacitancia completamente caracterizada incluyendo COSS eficaz para simplificar diseño, (véase el App. Nota AN1001)

• Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha

Especificaciones

                                                                                                       
Cualidad de producto Valor del atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Si
A través del agujero
TO-247-3
Canal N
1 canal
200 V
94 A
23 mOhms
- 30 V, + 30 V
1,8 V
180 nC
- 55 C
+ 175 C
580 W
Tubo
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 79 ns
Transconductancia delantera - minuto: 39 S
Altura: 20,7 milímetros
Longitud: 15,87 milímetros
Tiempo de subida: 160 ns

Guía comercial

Envío Período de entrega Para las piezas en existencia, las órdenes se estiman para enviar hacia fuera en 3 días.
Una vez que está enviado, estimado plazo de expedición depende de los portadores abajo que usted eligió:
DHL expresa, 3-7 días laborales.
Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.
Tarifas de envío Después de confirmar la orden, evaluaremos el coste de envío basado en el peso de las mercancías
Opciones de envío Proporcionamos DHL, Fedex, el ccsme, SF expreso, y el envío internacional registrado del correo aéreo.
Seguimiento del envío Le notificaremos por el correo electrónico con número de seguimiento una vez que se envía la orden.

Vuelta

garantía

Vuelta Las devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas en el plazo de 30 días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y en el empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para el envío.
Garantía Todas las compras de Retechip vienen con una política de devoluciones de devolución de 30 días, esta garantía no se aplicará a ningún artículo donde los defectos han sido causados por la operación incorrecta de la asamblea, del fracaso del cliente para seguir instrucciones, de producto de la modificación, negligente o incorrecta del cliente
El ordenar

 

Pago

 

T/T, Paypal, tarjeta de crédito incluye la visa, amo, American Express.

 

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