Transistor de poder del Mosfet de la INMERSIÓN del P-canal 100V 40A 200W TO-220 de IRF5210PBF
Descripción
La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
Características
l tecnología de proceso avanzada
l En-resistencia ultrabaja
l grado dinámico de dv/dt
l temperatura de funcionamiento de 175°C
l ayuna transferencia
l P-canal
l completamente avalancha clasificada
l sin plomo
Lista del transistor de poder del Mosfet en existencia:
IR1010NSPBF
IR2110PBF
IR2101STRPBF
IRLML2060TRPBF
IRLML9303TRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR2905ZPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLR3636TRPBF
IRF7205TRPBF
IRFB4110PBF
IRF540ZSTRLPBF
IRF7342TRPBF
IRFZ48NPBF
IRF5210PBF
IRFD9120PBF
IRFR9310PBF
IRFR3607TRPBF
IRFZ48NPBF
IRFZ44N
IRF4905
IRF1010NSTRLPBF
IRF1404PBF
IRF7306TRPBF
IRF3710SPBF
IRF7455PBF
IRF730PBF
IRF7220TRPBF
IRF7406TRPBF
IRF7204TRPBF
IRF7301TRPBF
IRF7303TRPBF
IRF740PBF
IRF7424PBF/TRPBF
IRFR7546TRPBF
IRFR9024PBF
IRG4PC40KPBF
IRGP4068DPBF
IRG4PC50UDPBF
IRLZ44NPBF
IRLR024NTRPBF
IRLML6244TRPBF
IRL3803PBF
