MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet CSD17313Q2
Number modelo:CSD17313Q2
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Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:SON6
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet CSD17313Q2
Características 1
- Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V
Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Pb-libre
RoHS obediente
Halógeno-libre
HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros
2 usos
Convertidores de DC-DC
Usos de la gestión de la batería y de la carga
Descripción 3
Este 30-V, 24 mΩ, 2 milímetros x MOSFET del poder de NexFETTM del HIJO de 2 milímetros se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder y se optimiza para los usos de la impulsión de la puerta 5-V. El × de 2 milímetros HIJO de 2 milímetros ofrece el funcionamiento termal excelente para el tamaño del paquete.
Resumen del producto
(1) para todos los paquetes disponibles, vea el addendum ordenable en el extremo de la hoja de datos.
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4,5 V) | 2,1 | nC | |
Qgd | Puerta-a-dren de la carga de la puerta | 0,4 | nC | |
RDS (encendido) | Dren-a-fuente en resistencia | VGS = 3 V | 31 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 26 | mΩ | ||
VGS = 8 V | 24 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,3 | V | |
Información el ordenar
NÚMERO DE PARTE | QTY | MEDIOS | PAQUETE | NAVE |
CSD17313Q2 | 3000 | carrete 13-Inch | HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros | Cinta y carrete |
CSD17313Q2T | 250 | carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | +10/– 8 | V |
Identificación | Corriente continua del dren (paquete limitado) | 5 | |
Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C | 19 | ||
Corriente continua del dren (1) | 7,3 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) | 57 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 2,4 | W |
Disipación de poder, TC = 25°C | 17 | ||
TJ, TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, solo pulso, identificación =19A, L=0.1mH, RG =25Ω | 18 | mJ |
MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet CSD17313Q2
Carro de la investigación
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