Poder del MOSFETde SPW 24N60C3
Punto bajo de la eficacia alta del poder más elevado del transistor en resistencia
Parámetros:
- Drene el voltaje de la fuente (VDS): 600V
- Drene la corriente (identificación): 24A
- Voltaje de fuente de puerta (VGS): ±20V
- Disipación de poder (paladio): 150W
- RDS (ENCENDIDO): 0.077Ω
- Temperatura de empalme máxima (Tj): 150°C
- Polaridad del transistor: Canal N
- Montaje del tipo: A través del agujero
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