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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet CSD17313Q2

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Number modelo :CSD17313Q2

Cantidad de orden mínima :Éntrenos en contacto con

Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT

Capacidad de la fuente :50000 pedazos por día

Plazo de expedición :Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo

Detalles de empaquetado :SON6

Descripción :MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Identificación - corriente continua del dren :5 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente :30 mOhmios

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :8 V

Qg - carga de la puerta :2,1 nC

Temperatura de funcionamiento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamiento máximo :+ 150 C

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MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet CSD17313Q2

Características 1

Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V
Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Pb-libre
RoHS obediente
Halógeno-libre
HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros

2 usos

Convertidores de DC-DC
Usos de la gestión de la batería y de la carga

Descripción 3

Este 30-V, 24 mΩ, 2 milímetros x MOSFET del poder de NexFETTM del HIJO de 2 milímetros se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder y se optimiza para los usos de la impulsión de la puerta 5-V. El × de 2 milímetros HIJO de 2 milímetros ofrece el funcionamiento termal excelente para el tamaño del paquete.

Resumen del producto

(1) para todos los paquetes disponibles, vea el addendum ordenable en el extremo de la hoja de datos.

TA = 25°C		VALOR TÍPICO		UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	30		V
Qg	Total de la carga de la puerta (4,5 V)	2,1		nC
Qgd	Puerta-a-dren de la carga de la puerta	0,4		nC
RDS (encendido)	Dren-a-fuente en resistencia	VGS = 3 V	31	mΩ
		VGS = 4,5 V	26	mΩ
		VGS = 8 V	24	mΩ
VGS (th)	Voltaje del umbral	1,3		V

Información el ordenar

NÚMERO DE PARTE	QTY	MEDIOS	PAQUETE	NAVE
CSD17313Q2	3000	carrete 13-Inch	HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros	Cinta y carrete
CSD17313Q2T	250	carrete 7-Inch	HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros	Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C		VALOR	UNIDAD
VDS	Voltaje de la Dren-a-fuente	30	V
VGS	Voltaje de la Puerta-a-fuente	+10/– 8	V
Identificación	Corriente continua del dren (paquete limitado)	5
	Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C	19
	Corriente continua del dren (1)	7,3
IDM	Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)	57
Paladio	Disipación de poder (1)	2,4	W
Paladio	Disipación de poder, TC = 25°C	17	W
TJ, TSTG	Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento	– 55 a 150	°C
EAS	Energía de la avalancha, solo pulso, identificación =19A, L=0.1mH, RG =25Ω	18	mJ

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