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Con un amplio intervalo de banda directo (~3.4 eV), fuertes enlaces atómicos, alta conductividad térmica y excelente resistencia a la radiación, el Ga......
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2 pulgadas GaN Substrates Dimensions libre: Ф 50,8 milímetros de ± 1 milímetro de grueso: 350 superficie usable del µm del ± 25: > Orientación del 90%......
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