Substrato de GaN

Con un amplio intervalo de banda directo (~3.4 eV), fuertes enlaces atómicos, alta conductividad térmica y excelente resistencia a la radiación, el GaN no es solo un material optoelectrónico de longitud de onda corta, sino que también es un material de alta resistencia a la radiación.pero también un material alternativo para dispositivos de semiconductores de alta temperaturaBasado en las propiedades físicas y químicas estables, GaN es adecuado para aplicaciones de LED (luz azul, verde, UV), detectores ultravioleta y dispositivos optoelectrónicos de alta potencia y alta frecuencia.

En 1988 en Hefei, JOPTEC fundan a un líder global en el R&D y la fabricación de los paquetes herméticos del metal-vidrio para los circuitos integrados híbridos, el laser del poder más elevado, la comunicación óptica, el detector infrarrojo y otros dispositivos optoelectrónicos. Con la inversión continua en nuevas tecnologías e instalaciones, JOPTEC ahora cubre un área de 21.000 metros cuadrados y ha desarrollado un proceso completo y maduro para el diseño, la fabricación, la prueba y la inspección de la calidad para los paquetes herméticos del metal-vidrio. En las últimas décadas, la capacidad de JOPTEC, la consistencia de la calidad y la confiabilidad han sido reconocidas por los clientes por todo el mundo que gama de las compañías internacionales importantes del laser del poder más elevado, de la comunicación óptica, de la defensa y de las agencias aeroespaciales a los establecimientos médicos y de investigación.