4h-N Wafer de carburo de silicio Semi Wafer de sustrato Sic para dispositivo MOS
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4h-N Wafer de carburo de silicio Semi Wafer de sustrato Sic para dispositivo MOS
En relación con el carburo de silicio (SiC) cristal
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajesSiC es también uno de los componentes importantes del LED, es un sustrato popular para el crecimiento de dispositivos GaN, y también sirve como un dispersor de calor en LEDs de alta potencia.
Aplicación de SiC
1. dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia,
diodos Schottky, JFET, BJT, PiN,Diodos, IGBT y MOSFET
2. dispositivos optoelectrónicos: utilizados principalmente en el
material de sustrato de GaN/SiC azul LED (GaN/SiC)
Especificación
Grado | Grado de MPD cero | Grado de producción | Grado de investigación | Grado de imitación |
Diámetro | 50.6 mm ± 0,2 mm | |||
El grosor | 1000±25 mm o de otro grosor personalizado | |||
Orientación de la oblea | Fuera del eje: 4.0° hacia <1120> ±0,5° para 4H-N/4H-SI En el
eje: <0001>±0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||
Densidad de los microtubos | ≤ 0 cm2 | ≤ 2 cm-2 | ≤ 5 cm2 | ≤ 30 cm2 |
Resistencia 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω•cm | |||
Resistencia 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | |||
Piso primario | {10-10} ± 5,0° o de forma redonda | |||
Duración plana primaria | 18.5 mm±2.0 mm o de forma redonda | |||
Duración plana secundaria | 10.0 mm±2.0 mm | |||
Orientación plana secundaria | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ±5,0° | |||
Exclusión de los bordes | 1 mm | |||
TTV/Bow/Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
La rugosidad | Polish Ra≤1 nm / CMP Ra≤0,5 nm | |||
Las grietas causadas por la luz de alta intensidad | No hay | 1 permitido, ≤ 2 mm | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |
Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |
Áreas de politipo por luz de alta intensidad | No hay | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |
Rasguños por luz de alta intensidad | 3 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | 5 rasguños a 1 × longitud acumulada del diámetro de la oblea | |
el chip de borde | No hay | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada uno | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |
Tamaño común en stock
Tipo 4H-N / obleas de SiC de alta pureza / lingotes Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 3 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 4 pulgadas y 4H Wafer SiC de tipo N de 6 pulgadas 4H/lingotes | 4H Semi-aislante / de alta pureza Wafer de SiC 2 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 3 pulgadas 4H semisoladora 4 pulgadas 4H Wafer de SiC semi-aislante Wafer de SiC de 6 pulgadas 4H semi-aislante |
Wafer SiC de tipo N de 6H Wafer SiC de tipo N de 2 pulgadas 6H/lingota | Tamaño personalizado para 2-6 pulgadas |
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Envasado
4h-N Wafer de carburo de silicio Semi Wafer de sustrato Sic para dispositivo MOS
Carro de la investigación
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