GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación
Number modelo:GaN-FS-C-U-C50-SSP
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1pcs
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Capacidad de la fuente:50PCS por mes
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes por tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED,mocvd oblea de nitruro de galio 10x10 mm,5x5mm, 10x5mm gaN wafer, Substratos GaN independientes no polares ((un plano y un plano m)
4 pulgadas 2 pulgadas de sustantivo libre de GaN HVPE GaN Wafers
Características de las obleas de GaN
- El contenido de nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno y nitrógeno en la mezcla de nitrógeno
El nitruro de galio es un tipo de semiconductores compuestos de amplio hueco.
un sustrato de cristal único de alta calidad, fabricado con el método HVPE original y la tecnología de procesamiento de obleas, que se ha desarrollado originalmente durante más de 10 años en China.Las características son muy cristalinas.Los sustratos de GaN se utilizan para muchos tipos de aplicaciones, para LED blanco y LD ((violeta, azul y verde).El desarrollo ha progresado para aplicaciones de dispositivos electrónicos de potencia y alta frecuencia.
El ancho de banda prohibido (emisión y absorción de luz) cubre la luz ultravioleta, visible e infrarroja.
Aplicación
El GaN se puede utilizar en muchas áreas como pantalla LED,
detección e imagen de alta energía,
Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
- Display de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc. Almacenamiento de datos
- Iluminación de bajo consumo de energía
- Proyecciones láser Dispositivos electrónicos de alta eficiencia
- Dispositivos de microondas de alta frecuencia Detección e imaginación de alta energía
- Nuevas energías solar o tecnología del hidrógeno Medio ambiente Detección y medicina biológica
- Banda de terahercios de la fuente de luz
Especificación de las obleas GaN independientes
| Tamaño | 2 " por segundo | 4" de largo. | ||
| Diámetro | 500,8 mm 士 0,3 mm | 1000,0 mm 士 0,3 mm | ||
| El grosor | 400 y 30 y | 450 mm 士 30 mm | ||
| Orientación | (0001) Caras Ga-planas c (estándar); (000-1) Caras N (opcional) | |||
| 002 XRD Curva de balanceo FWHM | < 100 segundos de arco | |||
| 102 XRD Curva de balanceo FWHM | < 100 segundos de arco | |||
| Radius de curvatura de la red | > 10 m (medido a un 80% x diámetro) | |||
| Desvío hacia el plano m. | 0.5° ± 0.15° hacia [10-10] @ centro de la oblea | |||
| Desvío hacia el plano ortogonal a | 0.0° ± 0.15° hacia [1-210] @ centro de la oblea | |||
| Dirección en el plano | La proyección vectorial del plano c apunta hacia el mayor OF | |||
| Plano plano de orientación mayor | (10-10) m-plano 2° (estándar); ±0,1° (opcional) | |||
| Orientación principal longitud plana | 16.0 mm ± 1 mm | 32.0 mm ± 1 mm | ||
| Orientación menor orientación plana | Ga-face = mayor OF en la parte inferior y menor OF en la izquierda | |||
| Orientación menor longitud plana | 8.0 mm ± 1 mm | 18.0 mm ± 1 mm | ||
| El borde del bisel | con el cubo | |||
| TTV (excluyendo los bordes de 5 mm) | < 15 mm | < 30 mm | ||
| La velocidad de curvatura (excluyendo los bordes de 5 mm) | < 20 mm | < 80 mm | ||
| Arco (excluido el borde de 5 mm) | -10 um a +5 um | -40 um a +20 um | ||
| Roughness del lado delantero (Sa) | < 0,3 nm (área AFM: 10 um x 10 um) | |||
| Se aplicará una medida de la distancia entre el punto de contacto y el punto de contacto. | ||||
| Revestimiento de la superficie lateral trasera | Polido (estándar); grabado (opcional) | |||
| Roughness del lado trasero (Sa) | Polished: < 3 nm (área WLI: 239 um x 318 um) | |||
| grabado: 1 um ± 0,5 um (área WLI: 239 um x 318 um) | ||||
| Marcado por láser | La parte trasera en el piso mayor | |||
| Propiedades eléctricas | El dopaje | Resistencia | ||
| Licón de tipo N (5) | < 0,02 ohm-cm | |||
| UID | < 0,2 ohm-cm | |||
| Semi-aislantes (carbono) | > 1E8 ohm-cm | |||
| Sistema de clasificación de los pozos | Densidad (pozos/cm2) | 2 " (pozos) | 4" (pozos) | |
| Producción | Se trata de un5 | Sección 2 | < 40 años | |
| Investigación | < 1 año5 | < 30 años | < 120 años | |
| ¡ Qué tonto! | < 2 años5 | En el caso de las | < 200 | |
Acerca de nuestra fábrica OEM
Nuestra visión de la empresa Factroy
Proporcionaremos un sustrato GaN de alta calidad y tecnología de
aplicación para la industria con nuestra fábrica.
El material GaN de alta calidad es el factor de restricción para la
aplicación de nitritos III, por ejemplo, una larga vida útil.
y LD de alta estabilidad, dispositivos de microondas de alta
potencia y alta fiabilidad,
y LED de alta eficiencia y ahorro de energía.
-Preguntas frecuentes
P: ¿Qué puede suministrar logística y costo?
(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF y otros.
(2) Si usted tiene su propio número expreso, es genial.
Si no, podríamos ayudarle a entregar.
P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
(1) Para los productos estándar, como las obleas de 2 pulgadas de
0,33 mm.
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles desde el
pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 4 semanas
laborales después del pedido.
P: ¿Cómo se paga?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y garantía
comercial.
P: ¿Cuál es el MOQ?
(1) Para el inventario, el MOQ es de 5pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 5pcs-10pcs.
Depende de la cantidad y de la técnica.
P: ¿Tiene un informe de inspección del material?
Podemos suministrar el informe ROHS y llegar a informes para
nuestros productos.
GaN-En-zafiro libre GaN-En-SIC del dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder de la situación
Carro de la investigación
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