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Chongqing Newsin Technology Co., Ltd

Ciudad:chongqing

Provincia / Estado:chongqing

País/Región:china

Persona de contacto:MrLin Yue

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2 pulgadas GaN Substrates libre

Dimensiones: Ф 50,8 milímetros de ± 1 milímetro
Grueso: 350 µm del ± 25
Superficie usable: el > 90%
Orientación: C-avión (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0.35°± 0.15°
Plano de la orientación: ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1,0 milímetros
Plano secundario de la orientación: ± 3°, (de 11-20) ± 8,0 1,0 milímetros
Variación total del grueso: µm del ≤ 15
ARCO: µm del ≤ 20
Tipo de la conducción: N-tipo (sin impurificar); N-tipo (GE-dopado); Semiaislante (FE-dopado)
Resistencia (300K): < 0,5 Ω·cm; < 0,05 Ω·cm; >106 Ω·cm
Densidad de dislocación: cm2s 1~9x105; cm2s 5x105; cm2s ~3x106
cm2s 1~9x105; cm2s 1~3x106; cm2s 1~3x106
Polaco: Front Surface: Ra < 0,2 nanómetros. Epi-listo pulido
Superficie trasera: Tierra fina

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