Oblea del nitruro del galio del semiconductor, plantilla N - tipo del substrato de GaN - 2 pulgadas
Número de modelo:GaN-2INCH 10x10m m
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:5pc
Condiciones de pago:L / C, T / T
Plazo de expedición:2-4 semanas
Detalles de empaquetado:sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
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Shanghai Shanghai China
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Habitación.1-1805, No.1079 calle Dianshanhu, área de Qingpu ciudad de Shanghai, China /201799
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea
semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea del mocvd GaN,
substratos libres por tamaño modificado para requisitos
particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m,
5x5m m, oblea de GaN del nitruro del galio de GaN de GaN del
nitruro del galio del mocvd de 10x5m m GaN
- III-nitruro (GaN, AlN, mesón)
El nitruro del galio es una clase de semiconductores compuestos de ancho-Gap. El substrato del nitruro del galio (GaN) es
un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente para 10+years en China. Las características son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para el LED blanco y el LD (violeta, azul y verde) además, desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.
Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el
ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo.
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED,
detección de alta energía y proyección de imagen,
- Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
- Almacenamiento de la fecha
- Iluminación económica de energía
- Exhibición a todo color del fla
- Laser Projecttions
- Dispositivos electrónicos de gran eficacia
- Dispositivos de alta frecuencia de la microonda
- La detección de alta energía y se imagina
- Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía
- Detección del ambiente y medicina biológica
- Banda del terahertz de la fuente de luz
Especificaciones:
| Substratos libres de GaN (tamaño modificado para requisitos particulares) | ||
| Artículo | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Dimensiones | 10.0mm×10.5m m | 14.0mm×15.0m m |
| Densidad del defecto de Marco | Un nivel | 0 cm-2 |
| Nivel de B | ≤ 2 cm-2 | |
| Grueso | Fila 300 | 300 µm del ± 25 |
| Fila 350 | 350 µm del ± 25 | |
| Fila 400 | 400 µm del ± 25 | |
| Orientación | ± 0.5° de C-AXIS (0001) | |
| TTV (variación total del grueso) | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo de la conducción | N-tipo | Semiaislante |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | >106 Ω·cm |
| Densidad de dislocación | Menos que 5x106 cm-2 | |
| Superficie usable | > el 90% | |
| Polaco | Superficie delantera: Ra < 0=""> | |
| Superficie trasera: Tierra fina | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |
| Artículo | GaN-FS-N-1.5 | |||
| Dimensiones | ± 0.5m m de Ф 25.4m m | ± 0.5m m de Ф 38.1m m | ± 0.5m m de Ф 40.0m m | ± 0.5m m de Ф 45.0m m |
| Densidad del defecto de Marco | Un nivel | ≤ 2 cm-2 | ||
| Nivel de B | > 2 cm-2 | |||
| Grueso | 300 µm del ± 25 | |||
| Orientación | ± 0.5° de C-AXIS (0001) | |||
| Orientación plana | ± 0.5° (de 1-100) | ± 0.5° (de 1-100) | ± 0.5° (de 1-100) | ± 0.5° (de 1-100) |
| 8 ± 1m m | 12 ± 1m m | 14 ± 1m m | 14 ± 1m m | |
| Orientación secundaria plana | ± 3° (de 11-20) | ± 3° (de 11-20) | ± 3° (de 11-20) | ± 3° (de 11-20) |
| 4 ± 1m m | 6 ± 1m m | 7 ± 1m m | 7 ± 1m m | |
| TTV (variación total del grueso) | µm ≤15 | |||
| ARCO | µm ≤20 | |||
| Tipo de la conducción | N-tipo | Semiaislante | ||
| Resistencia (300K) | < 0=""> | >106 Ω·cm | ||
| Densidad de dislocación | Menos que 5x106 cm-2 | |||
| Superficie usable | > el 90% | |||
| Polaco | Superficie delantera: Ra < 0=""> | |||
| Superficie trasera: Tierra fina | ||||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |||
Nuestra empresa Vision de Factroy
proveeremos del substrato de alta calidad de GaN y de la tecnología
del uso para la industria nuestra fábrica.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el
uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de
la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.
- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer
peso) + USD12.0/kg
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de
orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la
entrega es 2 o 4 workweeks después de orden.
Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía
del comercio.
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el
MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar los informes del informe y del alcance de ROHS
para nuestros productos.
Oblea del nitruro del galio del semiconductor, plantilla N - tipo del substrato de GaN - 2 pulgadas
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