Substrato del zafiro para los componentes azules y verdes del LED
Descripción de producto
Los materiales usados en diodos electroluminosos azules y verdes son principalmente GaN. La investigación temprana de GaN no ha hecho progreso significativo, principalmente porque ha no podido encontrar un substrato que hace juego el constante del enrejado de GaN, dando por resultado la densidad de defectos en el cristal epitaxial. Demasiado alto, hasta el 1991, el investigador S. Nakamura de Nichia Co. utilizó crecimiento a baja temperatura de una capa amorfa del almacenador intermediario de GaN en A.C. - substrato del zafiro del eje, y entonces crecido le en la temperatura alta para obtener lo mismo espejo-como superficie. Para GaN, el problema de la parte epitaxial ha obtenido una brecha importante en este tiempo.
Actualmente, los componentes de GaN de los diodos de alto-luz-emisión azulverdes del alto-brillo se crecen principalmente en Sapphire Wafer, el tamaño máximo puede alcanzar 6 pulgadas, y puede proporcionar diversos requisitos axiales incluyendo c, m, a, y el R. además, cubrir necesidades del cliente, otros substratos de la siguiente generación también se ha desarrollado.
Especificación técnica
Oblea del zafiro (Al2O3)
| Tipo |
Orientación |
Grueso (milímetros) |
Diámetro |
+Z/- Z |
| Solo lateral pulido |
c/a/m/r |
0.43/0.5/0.65 |
2"/4"/6" |
Pulido/molido |
| Lateral doble pulido |
c/a/m/r |
0.43/0.5/0.65 |
2"/4"/6" |
Pulido/pulido |
Especificaciones de la hoja plana del zafiro
| |
2" |
4" |
6" |
| Artículo |
Blanco |
Tolerancia |
Unidad |
Blanco |
Tolerancia |
Unidad |
Blanco |
Tolerancia |
Unidad |
| Diámetro: |
50,8 |
± |
0,1 |
milímetro |
100 |
± |
0,1 |
milímetro |
150 |
± |
0,2 |
milímetro |
| Grueso: |
430 |
± |
15 |
um |
650 |
± |
15 |
um |
1300 |
± |
25 |
um |
| Longitud plana: |
16 |
± |
1 |
milímetro |
30 |
± |
1 |
milímetro |
47,5 |
± |
1 |
milímetro |
| ángulo de compensación del C-avión (0001) (M-AXIS): |
0,2 |
± |
0,1 |
grado |
0,2 |
± |
0,1 |
grado |
0,2 |
± |
0,1 |
grado |
| Ángulo compensado plano: |
0 |
± |
0,25 |
grado |
0 |
± |
0,3 |
grado |
0 |
± |
0,3 |
grado |
| Arco: |
-10 |
~ |
0 |
um |
-15 |
~ |
0 |
um |
-15 |
~ |
15 |
um |
| Deformación: |
≤ 15 |
um |
≤ 20 |
um |
≤ 30 |
um |
| TTV: |
≤ 10 |
um |
≤ 10 |
um |
≤ 25 |
um |
| LTV (5mm*5m m): |
≤ 2 |
um |
≤ 2 |
um |
≤ 2 |
um |
| Aspereza de la parte delantera: |
≤ 2 |
Å |
≤ 2 |
Å |
≤ 2 |
Å |
| Aspereza lateral trasera: |
0,6 |
~ |
1,2 |
um |
0,6 |
~ |
1,2 |
um |
0,6 |
~ |
1,4 |
um |
Ventajas del producto
Modelo Sapphire Substrate (PSS): El substrato del zafiro es diseñado para producir modelos regulares específicos de la microestructura de la nano-escala por el crecimiento o la aguafuerte para controlar la forma de la luz de la salida del LED. Al mismo tiempo, puede reducir los defectos del GaN crecido en el substrato del zafiro, mejorar la calidad de la epitaxia, y mejora la eficacia de quántum interna del LED y aumentar la eficacia ligera de la extracción.
Tiene las características de la alta velocidad sana, resistencia da alta temperatura, resistencia a la corrosión, alta dureza, alta transmitencia ligera, punto de fusión elevada (2045°C), etc.
