Substratos derechos libres de GaN del bulto de U-GaN de 2 pulgadas, grado Epi-listo para el diodo láser de GaN
PAM-XIAMEN ha establecido la tecnología de fabricación para (nitruro del galio) la oblea libre del substrato de GaN que está para UHB-LED y el LD. Crecido por la tecnología de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro, nuestro substrato de GaN tiene densidad baja del defecto y menos o densidad macra libre del defecto.
PAM-XIAMEN ofrece la gama completa de GaN y los materiales relacionados de III-N incluyendo los substratos de GaN de diversas orientaciones y conductividad eléctrica, las plantillas del crystallineGaN&AlN, y los epiwafers de encargo de III-N.
substratos libres de 2inch U-GaN GaN
| Artículo |
PAM-FS-GaN-50-U |
| Dimensión |
50,8 ±1 milímetro |
| Grueso |
350 ±25 μm los 430±25μm |
| Orientación |
C acepilla (0001) de ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15° |
| Orientación plana |
(1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 milímetro |
| Orientación secundaria plana |
(11-20) 0 ±3°, 8 ±1 milímetro |
| Tipo de la conducción |
N-tipo
|
| Resistencia (300K) |
< 0="">
|
| TTV |
μm del ≤ 15 |
| ARCO |
-20 μm del ≤ 20 del ARCO del ≤ del μm |
| Aspereza superficial: |
Parte delantera: Ra<0>
Lado trasero: Tierra fina o pulido.
|
| Densidad de dislocación |
A partir de la 1 de x 105 a 5 de x 10 6 cm -2 (calculado por el CL) * |
| Densidad macra del defecto |
< 2="" cm="">-2 |
| Área usable |
> el 90% (exclusión de los defectos del borde y de la macro) |
| Paquete |
cada uno en solo envase de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno, llena en sitio limpio de la clase 100 |
substratos libres de 2inch U-GaN GaN sin impurificar
El substrato de GaN de PAM-XIAMEN (nitruro del galio) es substrato stal singlecry con de alta calidad, que se hace con método de HVPE y tecnología de proceso originales de la oblea. Son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para LED blanco y LD (violeta, azul y verde), además el desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.
GaN es un muy duro (12±2 GPa, material ancho mecánicamente estable del semiconductor del bandgap con capacidad de alto calor y conductividad termal. En su forma pura resiste el agrietarse y puede ser depositado en película fina en el carburo del zafiro o de silicio, a pesar de la unión mal hecha en sus constantes del enrejado. GaN se puede dopar con el silicio (Si) o con el n-tipo del oxígeno y con el p-tipo de (Mg) del magnesio. Sin embargo, cambio de los átomos del Si y del magnesio la manera que los cristales de GaN crecen, introduciendo tensiones extensibles y haciéndolas frágiles. Los compuestos de Galliumnitride también tienden a tener una alta densidad de dislocación, por orden de 108 a 1010 defectos por centímetro cuadrado. El comportamiento amplio de banda-Gap de GaN está conectado con los cambios específicos en la estructura de banda electrónica, el empleo de la carga y las regiones del vínculo químico
La tecnología de GaN se utiliza en usos de alta potencia numerosos tales como fuentes industriales, del consumidor y del servidor de alimentación, impulsión solar, de la CA e inversores de UPS, y coches híbridos y eléctricos. Además, GaN se adapta idealmente para los usos del RF tales como estaciones base, los radares e infraestructura celulares de la televisión por cable en el establecimiento de una red, los sectores del espacio aéreo y de la defensa, los gracias a su alta fuerza de la avería, figura de poco ruido y las altas linearidades.
INFORME superficial de la material-PRUEBA del substrato de la aspereza-GaN
Un informe de prueba es necesario mostrar la conformidad entre la descripción de encargo y nuestros datos finales de las obleas. Probaremos el characerization de la oblea por el equipo antes del envío, probando la aspereza superficial por el microscopio atómico de la fuerza, el tipo por el instrumento romano de los espectros, la resistencia por el equipo de prueba sin contacto de resistencia, la densidad del micropipe por el microscopio de polarización, la orientación por la radiografía Orientator etc. si las obleas cumplen el requisito, nosotros limpiaremos y embalarlos en sitio limpio de 100 clases, si las obleas no hacen juego espec. de la aduana, la quitaremos.
La aspereza superficial se acorta a la aspereza y es generalmente un componente de la textura superficial. Es cuantificada por la desviación de la dirección normal del vector de la superficie real de su forma ideal. Si estas desviaciones son grandes, la superficie es áspera; Si son pequeñas, la superficie es lisa. En la medida superficial, la aspereza se considera generalmente ser el componente de alta frecuencia de la longitud de la onda corta de la superficie de la escala de medición. En la práctica, sin embargo, es a menudo necesario conocer la amplitud y la frecuencia para asegurarse de que la superficie es conveniente para un propósito.
Abajo está un ejemplo de la aspereza superficial del material del substrato de GaN:
Una aspereza-gan superficial
Amontonamiento de los diodos láser del III-nitruro
