Eficacia de la cuesta de GaN ZnO Heteroepitaxy de los cristales del substrato ScAlMgO4 alta

Brand Name:CRYLINK
Certification:Iso9001
Model Number:CRYLINK-ScAlMgO4 Crystal
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Descripción

 

El cristalde ScAlMgO4 (MgScAlO4 SCAM) es una clase de recientemente desarrollado heteroepitaxy de GaN y de ZnO con el material ideal del substrato, actualmente partido el GaN y el ZnO mejores de los nuevos cristales del substrato materials.ScAlMgO4 es sistema hexagonal, que enrejan constante a = 0,3246 nanómetros, c = 2,5195 nanómetro, con la estructura acodada del rhombohedron, similar a los nitruros de la wurzita y la estructura del cristal del cinc oxide.ScAlMgO4 es una clase de material ideal del substrato para la epitaxia de GaN y de ZnO, que es unión mal hecha del enrejado del theminimum con GaN y ZnO.

 

Características

 

 

El mejor partido del enrejado con GaN y ZnO

ALTO transmisson después de pulir

Alta eficacia de la cuesta

 

 

Usos

 

Substratode ScAlMg2 O4

 

 

Especificación principal

 

Materiales

ScMgAlO4

Orientación

[0001] o [10-10] < ±0.5°

Paralelo

10

Perpendicular

5

calidad superficial

10/5

Distorsión del frente de onda

/4 @632nm

Llanura superficial

/8 @632nm

Abertura clara

>el 95%

Chaflán

<0.1×45°

Tolerancia del grueso/del diámetro

±0.05 milímetro

Dimensiones máximas

diámetro 50×100m m

Capas

AR AR@940+1030HR @ 1030+HT@940+AR1030

 

 

Características materiales

Comprobación y chemicalcharacteristics

 

Propiedades

ScMgAlO4

Estructura cristalina

sistema cristalino hexagonal

Constante del enrejado

a = 0.3246nm, c=2.5195nm

Densidad

3,64 g/cm3

Dureza de Mohs

4-5 Mohs

Coeficiente de la extensión termal

A=7.4510-6/℃

 

 

Producto estándar

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Eficacia de la cuesta de GaN ZnO Heteroepitaxy de los cristales del substrato ScAlMgO4 alta

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