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P canal igt

1 - 20 Resultados para P canal igt A partir de 42 Productos

Conductor SCALETM-2+IGBT del canal IGBT del DUA y base del conductor del MOSFET Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje? A: Generalme...

Time : Dec,04,2024
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Módulos IGBT automotrices MSC100SM70JCU3 Módulos de carburo de silicio IGBT de canal N 365W Descripción del producto deMSC100SM70JCU3 MSC1...

Time : Nov,29,2024
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MGP20N40CL SMARTDISCRETES internamente afianzado con abrazadera, mosfet de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del canal N IGBT...

Time : Jun,02,2024
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GT20J301: Canal N (usos) del control de motor de la transferencia del poder más elevado Toshiba Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del......

Time : Jun,02,2024
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Canal N IGBT muy rápido de STGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 con el diodo ultrarrápido Descripción Estos dispositivos son IGBT muy rápidos desarrollados ......

Time : Nov,03,2023
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Detalle del producto 1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de f...

Time : Dec,02,2024
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Módulos M57962AL-01R-02 IC híbrido de Mitsubishi Igbt para conducir los módulos de IGBT Descripción:M57962AL es un circuito integrado híbrido diseñado......

Time : Nov,28,2024
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Módulo de poder de IRGP 4068 DPBF 600V 6.5A IGBT con VCE bajo (sentado) y la EMI del punto bajo Producto: Módulo de poder de IRGP4068DPBF IGB...

Time : Nov,30,2024
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Canal N del módulo de poder de IPB044N15N5 IGBT los 3.4M Ohms Resistance FOSO >=100V del MOSFET del tubo 150V174A del MOS del remiendo de IP...

Time : Nov,25,2024
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Canal N ultrarrápido del transistor de G40N60UFD IGBT con construido en el diodo 600V 40A 160W, TO-3P Descripciones: La serie del UFD de Fairc...

Time : Jun,12,2024
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Módulo del transistor del módulo de poder de Toshiba IGBT MG200Q1US51 MG200Q1US51 Descripción de producto Fabricado cerca: Toshiba A...

Time : Jun,02,2024
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Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P...

Time : Apr,21,2025
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DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO Lastest no aisló IGBT aisló el módulo de poder bipolar del transistor de la puerta TCAN1042GDQ1 Módul...

Time : Dec,09,2024
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IMBG120R350M1HXTMA1 soporte PG-TO263-7-12 de la superficie 65W (Tc) del canal N 1200 V 4.7A (Tc)Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Los...

Time : Nov,25,2024
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Módulo de poder de IGBT NVIDIA G84-600-A2 Fabricante: NVIDIA Modelo: G84-600-A2 Uso: ordenador...

Time : Jun,02,2024
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IRAMX20UP60A Controladores y controladores de circuito integrado de gestión de energía 20A 600V IC híbrido ING PWR El IRAMX20UP60A es un IC híbrido......

Time : Dec,02,2024
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GT50N322A 50N322 Toshiba America Componentes electrónicos IGBT N-Channel 1000V 3 pines TO-3P(N) Componentes IGBT DISCRETOS Especificaciones técnicas...

Time : Nov,13,2025
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máquina del recocido de inducción de 35Kw IGBT, registrador de la temperatura de 6 canales Detalle rápido: Tipo: Otro Lugar de...

Time : Dec,01,2025
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Conductor trifásico de alto voltaje de la puerta de JY213H con el lado independiente del cielo y tierra tres referido canales de salida...

Time : Jun,22,2025
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