P canal igt

Conductor SCALETM-2+IGBT del canal IGBT del DUA y base del conductor del MOSFET Q1. ¿Cuál es sus términos del embalaje? A: Generalme...

Módulos IGBT automotrices MSC100SM70JCU3 Módulos de carburo de silicio IGBT de canal N 365W Descripción del producto deMSC100SM70JCU3 MSC1...

60A 650V N-Canal IGBT de alta potencia para almacenamiento de energía Inversor de cuerda solar Características principales El valor de las emision...

TOSHIBA aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta GT30J121 Usos de la transferencia del poder más elevado...

Descubra los pros - y - contra de IRG4IBC30S antes de invertir su dinero¿Es IRG4IBC30S la opción correcta para sus necesidades de la electrónica?...

GT20J301: Canal N (usos) del control de motor de la transferencia del poder más elevado Toshiba Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del......

Canal N IGBT muy rápido de STGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 con el diodo ultrarrápido Descripción Estos dispositivos son IGBT muy rápidos desarrollados ......

Detalle del producto 1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de f...

Módulos M57962AL-01R-02 IC híbrido de Mitsubishi Igbt para conducir los módulos de IGBT Descripción:M57962AL es un circuito integrado híbrido diseñado......

Módulo de poder de IRGP 4068 DPBF 600V 6.5A IGBT con VCE bajo (sentado) y la EMI del punto bajo Producto: Módulo de poder de IRGP4068DPBF IGB...

Canal N del módulo de poder de IPB044N15N5 IGBT los 3.4M Ohms Resistance FOSO >=100V del MOSFET del tubo 150V174A del MOS del remiendo de IP...

Canal N ultrarrápido del transistor de G40N60UFD IGBT con construido en el diodo 600V 40A 160W, TO-3P Descripciones: La serie del UFD de Fairc...

Módulo del transistor del módulo de poder de Toshiba IGBT MG200Q1US51 MG200Q1US51 Descripción de producto Fabricado cerca: Toshiba A...

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO Nuevas llegadas del conductor Circuit I2C TLA2022IRUGR Texas Instruments del módulo de 200W IGBT Módu...

Módulo de poder de IGBT Texas Instruments /TI TLA2022IRUGR Resolución (pedazos) 12 Número de canales de entrada 1...

Conductor del lado del cielo y tierra de JY21L, alto voltaje, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT basados en proceso de P-SUB P...

IMBG120R350M1HXTMA1 soporte PG-TO263-7-12 de la superficie 65W (Tc) del canal N 1200 V 4.7A (Tc)Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Los...

IRAMX20UP60A Controladores y controladores de circuito integrado de gestión de energía 20A 600V IC híbrido ING PWR El IRAMX20UP60A es un IC híbrido......

GT50N322A 50N322 Toshiba America Componentes electrónicos IGBT N-Channel 1000V 3 pines TO-3P(N) Componentes IGBT DISCRETOS Especificaciones técnicas...