Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
Number modelo:IMBG120R350M1HXTMA1
Cantidad de orden mínima:50pcs
Capacidad de la fuente:1000000 piezas
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C:4.7A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs:468mOhm @ 2A, 18V
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 3001-2, torre A, plaza del comercio mundial, camino de no. 9 Fuhong, distrito de Futian, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 23 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
IMBG120R350M1HXTMA1 soporte PG-TO263-7-12 de la superficie 65W (Tc) del canal N 1200 V 4.7A (Tc)
Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™
Los módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ son los módulos del MOSFET del carburo de silicio (sic) que ofrecen buenos niveles de flexibilidad de la eficacia y de sistema. Estos módulos vienen con los circuitos cercanos del umbral (NTC) y la tecnología del contacto PressFIT. Los módulos de CoolSiC ofrecen la densidad de gran intensidad, mejor de pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase, y de diseño inductivo bajo. Estos módulos proporcionan la operación de alta frecuencia, densidad de poder creciente, y duración y coste optimizados de ciclo de desarrollo.
CARACTERÍSTICAS
- Densidad de gran intensidad
- Mejor en pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase
- Diseño inductivo bajo
- Capacitancias bajas del dispositivo
- Un diodo intrínseco con la carga reversa de la recuperación
- Sensor de temperatura integrado de NTC
- Tecnología del contacto PressFIT
- Eficacia alta para reducido el refrescar de esfuerzo
- características Umbral-libres del en-estado
- Pérdidas que cambian independientes de la temperatura
- Operación de alta frecuencia
- Densidad de poder creciente
- Duración y coste optimizados de ciclo de desarrollo
- RoHS obediente
ESPECIFICACIONES
- DF23MR12W1M1 y DF11MR12W1M1:
- Configuración del aumentador de presión
- Configuración fácil 1B
- Tecnología M1
- clase del voltaje 1200V
- dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m
- FF8MR12W2M1 y FF6MR12W2M1:
- Configuración dual
- Vivienda fácil 2B
- Tecnología M1
- clase del voltaje 1200V
- dimensiones de 62.8m m x de 48m m
- F423MR12W1M1P:
- Configuración de FourPack
- Configuración fácil 1B
- Tecnología M1
- clase del voltaje 1200V
- dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m
- FF11MR12W1M1, FF45MR12W1M1, y FF23MR12W1M1:
- Configuración dual
- Vivienda fácil 1B
- Tecnología M1
- clase del voltaje 1200V
- dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m
- F3L11MR12W2M1:
- configuración 3-level
- Configuración fácil 2B
- Tecnología M1
- clase del voltaje 1200V
- dimensiones de 42.5m m x de 51m m
- FS45MR12W1M1:
- Configuración de SixPACK
- Vivienda fácil 1B
- Tecnología M1
- clase del voltaje 1200V
- dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m
GRÁFICO DE FUNCIONAMIENTO
Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
Carro de la investigación
0