Módulo del transistor del módulo de poder de Toshiba IGBT MG200Q1US51
MG200Q1US51
Descripción de producto
Fabricado cerca: Toshiba America, Inc.
Número de parte: MG200Q1US51
Categoría de la parte: Transistores
Descripción: 300A, 1200V, CANAL N IGBT
Voltaje del Colector-emisor: 1200V
Voltaje del Puerta-emisor: 20V
Corriente de colector (DC): 300A
Corriente delantera: (DC): 200A
Disipación de poder del colector: 1500W
Temperatura de empalme: 150C
Voltaje del aislamiento (CA 1 Min.): 2500V
Capacitancia de la entrada (VCE=10V, VGE=0, f=1MHz): 24nF
Tiempo de la transferencia: (Carga inductiva VCC=600V, IC=200A, VGE=15V, RG=4.7Ω)
- Tiempo de abertura: tipo 0.05s.
- Tiempo de subida: tipo 0.05s.
- Tiempo de abertura: tipo 0.2s.
- Tiempo de retraso de la vuelta-apagado: tipo 0.5s.
- Tiempo de caída: tipo 0.1s. ; máximo 0.3s.
- Tiempo de la vuelta-apagado: tipo 0.6s.
Voltaje delantero (IF=200A, VGE=0): tipo 2.4V. ; 3.5V máximo
Tiempo de recuperación reversa: tipo 0.15s. ; máximo 0.3s.
(IF=200A, VGE=-10V, di/dt=700A/s)
Características
Alta impedancia de entrada
De alta velocidad
Voltaje de saturación bajo
Aumento-modo
Los electrodos se aíslan de caso
F&A
¿Usted tiene socio en este campo?
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¿Cuál es su pronóstico para esta industria?
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