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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT

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Acoplador óptico de la impulsión de la puerta

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Botón de la pila del dióxido del manganeso del litio

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China Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT wholesale
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Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
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Number modelo :IMBG120R350M1HXTMA1
Cantidad de orden mínima :50pcs
Capacidad de la fuente :1000000 piezas
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) :1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C :4.7A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs :468mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. :5.7V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs :5,9 nC @ 18 V
Vgs (Máx.) :+18V, -15V
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IMBG120R350M1HXTMA1 soporte PG-TO263-7-12 de la superficie 65W (Tc) del canal N 1200 V 4.7A (Tc)

Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™

Los módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ son los módulos del MOSFET del carburo de silicio (sic) que ofrecen buenos niveles de flexibilidad de la eficacia y de sistema. Estos módulos vienen con los circuitos cercanos del umbral (NTC) y la tecnología del contacto PressFIT. Los módulos de CoolSiC ofrecen la densidad de gran intensidad, mejor de pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase, y de diseño inductivo bajo. Estos módulos proporcionan la operación de alta frecuencia, densidad de poder creciente, y duración y coste optimizados de ciclo de desarrollo.

CARACTERÍSTICAS

  • Densidad de gran intensidad
  • Mejor en pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase
  • Diseño inductivo bajo
  • Capacitancias bajas del dispositivo
  • Un diodo intrínseco con la carga reversa de la recuperación
  • Sensor de temperatura integrado de NTC
  • Tecnología del contacto PressFIT
  • Eficacia alta para reducido el refrescar de esfuerzo
  • características Umbral-libres del en-estado
  • Pérdidas que cambian independientes de la temperatura
  • Operación de alta frecuencia
  • Densidad de poder creciente
  • Duración y coste optimizados de ciclo de desarrollo
  • RoHS obediente

ESPECIFICACIONES

  • DF23MR12W1M1 y DF11MR12W1M1:
    • Configuración del aumentador de presión
    • Configuración fácil 1B
    • Tecnología M1
    • clase del voltaje 1200V
    • dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m
  • FF8MR12W2M1 y FF6MR12W2M1:
    • Configuración dual
    • Vivienda fácil 2B
    • Tecnología M1
    • clase del voltaje 1200V
    • dimensiones de 62.8m m x de 48m m
  • F423MR12W1M1P:
    • Configuración de FourPack
    • Configuración fácil 1B
    • Tecnología M1
    • clase del voltaje 1200V
    • dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m
  • FF11MR12W1M1, FF45MR12W1M1, y FF23MR12W1M1:
    • Configuración dual
    • Vivienda fácil 1B
    • Tecnología M1
    • clase del voltaje 1200V
    • dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m
  • F3L11MR12W2M1:
    • configuración 3-level
    • Configuración fácil 2B
    • Tecnología M1
    • clase del voltaje 1200V
    • dimensiones de 42.5m m x de 51m m
  • FS45MR12W1M1:
    • Configuración de SixPACK
    • Vivienda fácil 1B
    • Tecnología M1
    • clase del voltaje 1200V
    • dimensiones de 62.8m m x de 33.8m m

RECURSOS ADICIONALES

ESQUEMAS CIRCULARES

Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
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GRÁFICO DE FUNCIONAMIENTO

Soporte superficial del canal N 1200 V 4.7A 65W del módulo del transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
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