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Si usted está buscando un transistor bipolar aislado potente de la puerta (IGBT) para sus proyectos electrónicos, usted pudo haber oído hablar de IRG4IBC30S. Este IGBT de alta calidad de Infineon Technologies ofrece una gama de ventajas y de desventajas que usted debe considerar antes de tomar una decisión.
Pros:
1. Eficacia alta: Con un voltaje ultrabajo de VCE (se sentó) de 1.7V, IRG4IBC30S es un IGBT muy eficiente que puede ahorrar energía y reducir la generación de calor en sus dispositivos electrónicos.
2. Alta velocidad que cambia: Con una velocidad que cambia rápida apenas de 10ns, IRG4IBC30S puede manejar usos de alta frecuencia tales como fuentes de alimentación, control de motor, y calefacción de inducción que cambian.
3. Grado de alta temperatura: IRG4IBC30S tiene una temperatura de funcionamiento máximo de 175°C, haciéndolo conveniente para los usos des alta temperatura.
Contra:
1. Alto coste: IRG4IBC30S es un IGBT superior que viene en un alto coste comparado a otros modelos en el mercado.
2. Gama de alto voltaje: La gama del voltaje de IRG4IBC30S se limita a 600V, que puede no ser conveniente para los usos de alto voltaje.
3. Diseño complejo: IRG4IBC30S tiene un diseño complejo que requiera la atención al detalle cuidadosa durante la instalación y la operación.
En conclusión, IRG4IBC30S es un mejor IGBT que puede proporcionar eficacia excelente, velocidad que cambia, y la dirección da alta temperatura. Sin embargo, su alto coste, gama limitada del voltaje, y diseño complejo deben ser considerados antes de tomar una decisión de compra.
Especificaciones:
Voltaje del emisor del colector (VCEO): 600 V DC
Corriente de colector: 2,5 A
Configuración: Solo
Voltaje máximo del emisor de la puerta: 20 V
Disipación de poder: 35 W
Montaje de estilo: A través del agujero
Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C°
Temperatura de funcionamiento máximo: 150 C°
Marca: Rectificador internacional
Paquete: TO-220F-3