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GT20J301 Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta

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China GT20J301 Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta wholesale
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GT20J301 Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta
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Number modelo :GT20J301
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10,000pcs
Plazo de expedición :en existencia 2-3days
Detalles de empaquetado :carrete
PN :GT20J301
Marca :Toshiba
Original :Japón
Tipo :Canal N IGBT del silicio del transistor
Voltaje :2.7V (máximo)
Material :Original
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USOS DEL CONTROL DE MOTOR


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●Aumento-modo
●Velocidad. : tf=0.30pμs (máximo)
●Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =2.7V (máximo)
●FRD incluyó entre el emisor y el colector

GT20J301 Toshiba aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta

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