Canal N ultrarrápido del transistor de IGBT, transistor bipolar aislado de la puerta con construido en diodo

Número de modelo:G40N60UFD
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Union,PAYPAL occidental
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3 días
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Detalles del producto

Canal N ultrarrápido del transistor de G40N60UFD IGBT con construido en el diodo 600V 40A 160W, TO-3P

 

Descripciones:

La serie del UFD de Fairchild de transistores bipolares (IGBTs) de la puerta Insulated proporciona pérdidas bajas de la conducción y de la transferencia. La serie de UFD se diseña para los usos tales como control de motor e inversores generales donde está una característica la transferencia de alta velocidad requerida.

 

Características: 

• Transferencia de alta velocidad
• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,3 V @ IC = 20A
• Alta impedancia de entrada
• CO-PAK, IGBT con FRD: trr = 50ns (tipo.).

 

Usos:

Controles de motor de la CA y de DC, inversores de fines generales, robótica, y controles servos.

 

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