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Descripción general: El JY11M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de trincheras para lograr la alta densidad de células y reduce la resiste......
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El transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la DESCRIPCIÓN del transistor de poder del Mosfet de la gestión del poder del interruptor de ......
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JUYI 500V/8A N Modo de mejora del canal MOSFET de potencia con conmutación rápida y recuperación del cuerpo inverso Descripción general El product...
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MOSFET del de PowerTrench del canal N de FDV305N 20V Descripción general Este MOSFET del canal N 20V utiliza el proceso de alto volt...
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Impulse sus fuentes de alimentación con el transistor del MOSFET de OSG65R038HZSuelte las tolerancias de alto voltaje y actuales con este MOSFET del p......
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NX7002AK, MOSFET 60V 190mA solo SMD/SMT del foso del canal N 215 SOT-23-3 1 Productos Descripción: El NX7002AK es un transistor del efecto de campo...
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ISO9001.pdf (en inglés) IPD082N10N3 es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son sus aplicaciones, conclusiones y parámetros:Aplicación:Ut......
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MOSFET 55V 110A 200W del canal N de IRF3205PBF a través del agujero TO-220AB Descripción MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del International El ......
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STF28NM50N Potencia MOSFET 500V/28A Calificación baja 0.135andOmega; Rds(on) Conmutación rápida Avalanche Rugged Eco-Mode Low Gate Charge TO-220FP Paq......
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Canal N del MOSFET SMD del transistor de efecto de campo del poder de AP85N03NF con el interruptor de la carga Descripción El AP8...
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