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Descripción general: El JY11M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de trincheras para lograr la alta densidad de células y reduce la resiste......
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El transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la DESCRIPCIÓN del transistor de poder del Mosfet de la gestión del poder del interruptor de ......
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Bajo consumo de silicio Mosfet de bajo umbral en dispositivos con batería Descripción del producto: Una de las principales ventajas de este M...
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JUYI 500V/8A N Modo de mejora del canal MOSFET de potencia con conmutación rápida y recuperación del cuerpo inverso Descripción general El product...
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MOSFET del de PowerTrench del canal N de FDV305N 20V Descripción general Este MOSFET del canal N 20V utiliza el proceso de alto volt...
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Descripción del producto: El Transistor de Efecto de Campo de Metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio (SiC MOSFET) es un dispositivo de alta...
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NX7002AK, descripción de 215 del canal N SOT-23-3 1 del foso productos del MOSFET 60V 190mA sola SMD/SMT: El NX7002AK es un transistor del efecto de ......
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