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MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V

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Provincia / Estado:guangdong
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China MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V wholesale
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MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V
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Número de modelo :FDV305N
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
voltaje de la Dren-fuente :20 V
Voltaje de la Puerta-Fuente :± 12 V
Disipación de poder máxima :0,35 W
Corriente de entrada :±5 mA
Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento :– °C 55 a +150
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MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V

MOSFET del  de PowerTrench del canal N de FDV305N 20V

 

 

Descripción general

Este MOSFET del canal N 20V utiliza el proceso de alto voltaje de PowerTrench de Fairchild. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder.

 

Usos

• Interruptor de la carga

• Protección de la batería

• Gestión del poder MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V

 

 

Características

• 0,9 A, 20 V

MΩ 220 del RDS (ENCENDIDO) = @ VGS = 4,5 V

MΩ 300 del RDS (ENCENDIDO) = @ VGS = 2,5 V

• Carga baja de la puerta

• Velocidad de transferencia rápida

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)

 

Grados máximos absolutos

Símbolo  Parámetro  Grados  Unidades
VDSS  Voltaje de la Dren-fuente 20  V
VGSS   Voltaje de la Puerta-fuente ± 12 V
ID 

Corriente del dren – continua

                      – Pulsado

0,9

2

 A
PD Disipación de poder máxima  0,35   W
TJ, TSTG  Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento – 55 a +150  °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

p55nfo power mosfet

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