Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

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MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia

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Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MrIvanzhu
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MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia

Preguntar último precio
Número de modelo :JY11M
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :50pcs (muestra disponible)
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de suministro :1000 piezas por día
Plazo de expedición :dependa de la cantidad /Negotiable de la orden
Detalles de empaquetado :habitación para la exportación
Nombre :MOSFET del canal N
Modelo no. :JY11M
Voltaje de la Dren-fuente :El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas.
Voltaje de la Puerta-fuente :± 20 V
Corriente continua del dren :110A ((Tc=25°C)
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento :-55 ~ +175 °C
Recuperación del cuerpo inverso :- ¿ Qué?
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Descripción general:


El JY11M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de trincheras para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con un alto índice de avalancha repetitiva.
Las características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en aplicaciones de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.


 Características:

 

● 100V/110A, RDS ((ON) = 6.5mΩ@VGS=10V
● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés
● Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
● Excelente paquete para una buena disipación de calor

 

Aplicaciones:

 

● Cambiar de aplicación
● Circuitos de alta frecuencia y con interruptores duros
● Gestión de la energía para sistemas de inversores

 

Descripción del PIN:

 

MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia

Calificaciones máximas absolutas ((Tc=25°C a menos que se indique lo contrario):

 

El símbolo Parámetro Límites Unidad
V.D.S. Voltado de la fuente de drenaje 100 V.
V.GS Voltado de la fuente de la puerta ± 20 V.
Yo...D Corriente de drenaje continua TC=25°C 110 A. No
TC=100°C 82
Yo...El DM Corriente de drenaje pulsado 395 A. No
PD Disposición máxima de energía 210 No
T.J.T.Sector de la salud Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento -55 ~ +175 °C
REl JJC Resistencia térmica-junción con el estuche 0.65 °C/W
RθJA
Resistencia térmica-junción con el ambiente 62

 

TO220-3 Esquema del paquete:

MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia
 

El símbolo En el caso de los pulgadas El símbolo En el caso de los pulgadas
- ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es? - ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es? - ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es? - ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es?
A. No 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 El 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 E1 y 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 - ¿ Qué? 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C. Las 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 2.50REF. ¿Qué es eso? 0.098REF. ¿Qué quiere decir?
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
El DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 - ¿ Qué? 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
- ¿ Por qué? 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 T1
E1 - 8.7 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.94 0.401              

 

 

Para obtener más información, póngase en contacto con nosotros directamente por correo electrónico: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

 

 

 

 
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